Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание, FSWR-2023-0035
Хомицкий Д.В.
1, Запруднов Н.А.
11Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: khomitsky@phys.unn.ru, dkrain98@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 20 июня 2024 г.
Принята к печати: 20 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 24 июля 2024 г.
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный эффект может использоваться как дополнительный управляющий параметр спиновой динамики, в том числе в приложениях при создании спиновых кубитов. Ключевые слова: спин, сфера Блоха, двойная квантовая точка, спин-орбитальное взаимодействие, электрический дипольный спиновый резонанс.
- E.I. Rashba, Al.L. Efros. Phys. Rev. Lett., 91, 126405 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevLett.91.126405
- K.C. Nowack, F.H.L. Koppens, Yu.V. Nazarov, L.M.K. Vandersypen. Science, 318, 1430 (2007). DOI: 10.1126/science.1148092
- Ф.Ди Джакомо, Е.Е. Никитин. УФН, 175 (5), 545 (2005). DOI: 10.3367/UFNr.0175.200505f.0545
- O.V. Ivakhnenko, S.N. Shevchenko, F. Nori. Phys. Reports, 995, 1 (2023). DOI: https://doi.org/10.1016/j.physrep.2022.10.002
- A. Bogan, S. Studenikin, M. Korkusinski, L. Gaudreau, P. Zawadzki, A.S. Sachrajda, L. Tracy, J. Reno, T. Hargett. Phys. Rev. Lett., 120, 207701 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevLett.120.207701
- S. Studenikin, M. Korkusinski, A. Bogan, L. Gaudreau, D.G. Austing, A.S. Sachrajda, L. Tracy, J. Reno, T. Hargett. Semicond. Sci. Technol., 36, 053001 (2021). DOI: 10.1088/1361-6641/abe42d
- D.V. Khomitsky, S.A. Studenikin. Phys. Rev. B, 106, 195414 (2022). DOI: 10.1103/PhysRevB.106.195414
- D.V. Khomitsky, M.V. Bastrakova, V.O. Munyaev, N.A. Zaprudnov, S.A. Studenikin. Phys. Rev. B, 108, 205404 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevB.108.205404
- J. Stehlik, M.D. Schroer, M.Z. Maialle, M.H. Degani, J.R. Petta. Phys. Rev. Lett., 112, 227601 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevLett.112.227601
- P. Scarlino, E. Kawakami, D.R. Ward, D.E. Savage, M.G. Lagally, M. Friesen, S.N. Coppersmith, M.A. Eriksson, L.M.K. Vandersypen. Phys. Rev. Lett., 115, 106802 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevLett.115.106802
- J. Romhanyi, G. Burkard, A. Palyi. Phys. Rev. B, 92, 054422 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.92.054422
- Y. Zhou, G. Gao, H.-O. Li, G.-P. Guo. Chinese Phys. B, 32, 060303 (2023). DOI: 10.1088/1674-1056/acc521
- D. Grundler. Phys. Rev. Lett., 84, 6074 (2000). DOI: 10.1103/PhysRevLett.84.6074
- M.M. Glazov. Electron and Nuclear Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures (N.Y., Oxford University Press, 2018) p. 150. DOI: 10.1093/oso/9780198807308.003.0001
- V.N. Mantsevich, D.S. Smirnov. Phys. Rev. B, 100, 075409 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.100.075409
- M. Bonifacio, D. Domi nguez, M.J. Sanchez. Phys. Rev. B, 101, 245415 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.245415
- L. Zhang, L. Wang, M.F. Gelin, Y. Zhao. J. Chem. Phys., 158, 204115 (2023). DOI: 10.1063/5.0150284
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
