"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния)
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Строкан Н.Б.1, Давыдов Д.В.1, Иванов А.М.1, Стрельчук А.М.1, Якимова Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 18 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Рассмотрены результаты исследований воздействия ионизирующего излучения на эпитаксиальные слои и приборы на основе карбида кремния (SiC). Показано, что при исследовании широкозонных полупроводников следует учитывать температурную зависимость параметра, стандартного для определения радиационной стойкости материала, - скорости удаления подвижных носителей заряда. Использование данных, полученных только при комнатных температурах, может привести к неправильной оценке радиационной стойкости широкозонных полупроводников. Сделан вывод, что свойства широкозонных полупроводников сочетают в себе, с одной стороны - большую радиационную стойкость высокотемпературных приборов на их основе, с другой - возможность эффективного радиационного легирования (например получения полуизолирующих при комнатной температуре локальных областей материала).
  1. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Наука, 1972)
  2. J.W. Corbett, J.C. Bourgein. In: Point Defect in Solids (N. Y., London, Plenium Press, 1975) v. 2, p. 1
  3. B.G. Svensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson, A.Yu. Kuznetsov, M.S. Janson, D. Aberg, J. Osterman, P.O.A. Persson, L. Uultman, L. Storasta, F.U.C. Carlsson, J.P. Bergman, C. Jagadish, E. Morvan. Mater. Sci. Forum, 353--356, 549 (2001)
  4. A. Hallen, A. Henry, P. Pellegrino, B.G. Svensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng., 61--62, 378 (1999)
  5. R.K. Nadella, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997)
  6. G.C. Rybicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  7. V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
  8. J.McGarrity, F. McLean, M. Dealancey, J. Palmour, C. Carter, J. Edmond, R. Oakley. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 1974 (1992)
  9. H. Itoh, M. Yashikawa, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura. S. Yoshida. Springer Proc. Phys., 56, 143 (1992)
  10. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  11. В.С. Вавилов, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.В. Спицын. ФТП, 6, 1041 (1972)
  12. Ю.В. Булгаков, Т.И. Коломенская. ФТП, 1, 422 (1967)
  13. В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
  14. В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5, 176 (1971)
  15. D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovskii, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338--342, 221 (2000)
  16. Компенсированный кремний, под ред. Б.И. Болтакса (Л., Наука, 1972)
  17. W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
  18. F.H. Ruddy, A.R. Dullo, J.G. Seidel, S. Seshadri, L.B. Rowland. IEEE Trans. Nucl. Sci., 45, 536 (1998)
  19. A.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 249 (2000)
  20. H. Itoh, N. Haykawa. J. Appl. Phys., 66, 4529 (1989)
  21. V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov, T.I. Kolchenko, V.M. Lomako. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.