Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 18 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Рассмотрены результаты исследований воздействия ионизирующего излучения на эпитаксиальные слои и приборы на основе карбида кремния (SiC). Показано, что при исследовании широкозонных полупроводников следует учитывать температурную зависимость параметра, стандартного для определения радиационной стойкости материала, - скорости удаления подвижных носителей заряда. Использование данных, полученных только при комнатных температурах, может привести к неправильной оценке радиационной стойкости широкозонных полупроводников. Сделан вывод, что свойства широкозонных полупроводников сочетают в себе, с одной стороны - большую радиационную стойкость высокотемпературных приборов на их основе, с другой - возможность эффективного радиационного легирования (например получения полуизолирующих при комнатной температуре локальных областей материала).
- Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Наука, 1972)
- J.W. Corbett, J.C. Bourgein. In: Point Defect in Solids (N. Y., London, Plenium Press, 1975) v. 2, p. 1
- B.G. Svensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson, A.Yu. Kuznetsov, M.S. Janson, D. Aberg, J. Osterman, P.O.A. Persson, L. Uultman, L. Storasta, F.U.C. Carlsson, J.P. Bergman, C. Jagadish, E. Morvan. Mater. Sci. Forum, 353--356, 549 (2001)
- A. Hallen, A. Henry, P. Pellegrino, B.G. Svensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng., 61--62, 378 (1999)
- R.K. Nadella, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997)
- G.C. Rybicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
- V. Nagesh, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
- J.McGarrity, F. McLean, M. Dealancey, J. Palmour, C. Carter, J. Edmond, R. Oakley. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 1974 (1992)
- H. Itoh, M. Yashikawa, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura. S. Yoshida. Springer Proc. Phys., 56, 143 (1992)
- A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
- В.С. Вавилов, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.В. Спицын. ФТП, 6, 1041 (1972)
- Ю.В. Булгаков, Т.И. Коломенская. ФТП, 1, 422 (1967)
- В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
- В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5, 176 (1971)
- D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovskii, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338--342, 221 (2000)
- Компенсированный кремний, под ред. Б.И. Болтакса (Л., Наука, 1972)
- W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
- F.H. Ruddy, A.R. Dullo, J.G. Seidel, S. Seshadri, L.B. Rowland. IEEE Trans. Nucl. Sci., 45, 536 (1998)
- A.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 249 (2000)
- H. Itoh, N. Haykawa. J. Appl. Phys., 66, 4529 (1989)
- V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov, T.I. Kolchenko, V.M. Lomako. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
