Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние примеси теллура на свойства твердых растворов Ga_1-XIn_XAs_YSb_1-Y (X>0.22)

Воронина Т.И.¹, Лагунова Т.С.¹, Куницына Е.В.¹, Пархоменко Я.А.¹, Сиповская М.А.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование влияния примеси теллура на электрофизические свойства твердых растворов Ga_1-XIn_XAs_YSb_1-Y (X=0.22 и X=0.24), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из содержащих свинец растворов-расплавов. Показано, что при невысоком уровне легирования теллуром (X_Te^L<2· 10^-5 ат%) в неоднородных сильно компенсированных твердых растворах p-типа происходит "залечивание" дефектов и появляется возможность получения слабо компенсированного материала с малым числом примесей и структурных дефектов. При высоком уровне легирования теллуром возможно получение материала n-типа с концентрацией электронов n=10¹⁷-10¹⁹ см^-3. Исследование электролюминесценции гетероструктур n-GaInAsSb/p-GaSb показывает возможность создания светодиодов с длиной волны lambda=2.0-2.5 мкм.

Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 55 (2001)
Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 25, 283 (1991)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1072 (1990)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, И.Н. Тимченко, З.И. Чугуева, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23, 780 (1989)
Б.И. Шкловский, А.Н. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60, 867 (1971)
М.К. Шейкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
А.С. Кюрегян, И.К. Лазарева, В.М. Стучебников, А.Ю. Юнович. ФТП, 6, 242 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель