"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локальная структура примесных центров цинка в халькогенидах свинца и твердых растворах Pb1-xSnxTe
Немов С.А.1, Серегин Н.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Показано, что положение примесных атомов цинка, образующихся в решетках халькогенидов свинца (PbS, PbSe, PbTe) после радиоактивного распада изотопов 67Cu и 67Ga, определяется положением материнских атомов и возможна стабилизация центров цинка как в катионных узлах, так и в междоузлиях. В обеих позициях центры цинка либо электрически неактивны, либо энергетический уровень примеси оказывается с небольшой энергией ионизации и перезарядка примеси не влияет на изомерный сдвиг мессбауэровского спектра. В твердых растворах Pb1-xSnxTe в области бесщелевого состояния не наблюдается изменений локальной симметрии катионных узлов и электронной плотности в них.
  1. R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, M.F. Shakhov. J. Alloys Comp., 219, 313 (1995)
  2. N.P. Seregin, F.S. Nasredinov, P.P. Seregin. J. Phys.: Condens. Matter, 13, 149 (2001)
  3. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шалимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений A-=SUP=-IV-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1975)
  4. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин. ФТТ, 38, 2973 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.