"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локальная структура примесных центров цинка в халькогенидах свинца и твердых растворах Pb1-xSnxTe
Немов С.А.1, Серегин Н.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Показано, что положение примесных атомов цинка, образующихся в решетках халькогенидов свинца (PbS, PbSe, PbTe) после радиоактивного распада изотопов 67Cu и 67Ga, определяется положением материнских атомов и возможна стабилизация центров цинка как в катионных узлах, так и в междоузлиях. В обеих позициях центры цинка либо электрически неактивны, либо энергетический уровень примеси оказывается с небольшой энергией ионизации и перезарядка примеси не влияет на изомерный сдвиг мессбауэровского спектра. В твердых растворах Pb1-xSnxTe в области бесщелевого состояния не наблюдается изменений локальной симметрии катионных узлов и электронной плотности в них.
  1. R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, M.F. Shakhov. J. Alloys Comp., 219, 313 (1995)
  2. N.P. Seregin, F.S. Nasredinov, P.P. Seregin. J. Phys.: Condens. Matter, 13, 149 (2001)
  3. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шалимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., Наука, 1975)
  4. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин. ФТТ, 38, 2973 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.