"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs
Мокеров В.Г.1, Галиев Г.Б.1, Пожела Ю.2, Пожела К.2, Юцене В.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 19 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Экспериментально установлено осциллирующее изменение подвижности электронов с изменением толщины квантовой ямы гетероструктуры AlGaAs / GaAs / AlGaAs с модулированным двухсторонним легированием. Установлено резкое падение подвижности с ростом концентрации электронов в квантовой яме. Определены условия увеличения подвижности при введении в квантовую яму тонкого барьера. Впервые экспериментально наблюдалось увеличение подвижности в 1.3 раза в квантовой яме толщиной L=26 нм при введении тонкого (1-1.5 нм) барьера AlAs.
  1. J. Pozela, V. Juciene, A. Namaj\^unas, K. Pozela. Physica E, 5, 108 (1999)
  2. I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinary, P. Lugli. Phys Rev. B, 51, 7046 (1995)
  3. C.R. Bennet, M.A. Amato, N.A. Zakhleniuk, B.K. Ridley, M. Babiker. J. Appl. Phys., 83, 1499 (1998)
  4. Q.X. Zhao, S. Wongmanerod, M. Willander, P.O. Holtz, E. Selvig, B.O. Fimland. Phys. Rev. B, 62, 10 984 (2000)
  5. K.W. Kim, A.R. Bhatt, M.A. Stroscio, P.J. Turley, S.W. Teitsworth. J. Appl. Phys., 72, 2282 (1992)
  6. J. Pozela, K. Pozela, V. Juciene. Semiconductors, 34, 1011 (2000)
  7. T. Tsuchiya, T. Ando. Phys. Rev. B, 47, 7240 (1993); Phys. Rev. B, 48, 4599 (1993)
  8. W. Xu, F.M. Peeters, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 48, 1562 (1993)
  9. J. Pozela, V. Juciene, A. Namaj\^unas, K. Pozela. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.