"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резонансный перенос носителей заряда через ловушечные состояния в диэлектрике в периодических наноструктурах Si/CaF2
Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 4 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Предложена модель туннельно-резонансного переноса носителей заряда через дискретный ловушечный уровень в диэлектрике в периодических наноразмерных структурах Si/CaF2. Необходимым требованием туннельно-резонансного переноса при приложении внешнего смещения к структуре является совпадение энергии носителей заряда в яме кремния с энергетическим положением уровня ловушек в диэлектрике. Показано, что заполнение ловушечных состояний в диэлектрике и нарушение условий туннельно-резонансного переноса носителей через уровень ловушек при превышении энергии носителей в яме уровня ловушек в диэлектрике приводит к спаду токопереноса через структуру и образованию области отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках периодических структур Si/CaF2. В результате моделирования данного эффекта было обнаружено, что преимуществами приборов на основе периодических структур кремний/диэлектрик являются широкий диапазон рабочих температур 77-300 K и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных схем.
  1. C.G. Smith. Rep. Prog. Phys., 59, 235 (1994)
  2. L.L. Chang, P.J. Stiles, L. Esaki. J. Appl. Phys., 38, 4440 (1967)
  3. L. Esaki. Phys. Rev., 109, 63 (1958)
  4. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
  5. S. Menard, A.N. Kholod, M. Liniger, F. Bassani, V.E. Borisenko, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. St. Sol. (a), 181, 561 (2000)
  6. L. Vervoort, F. Bassani, I. Michalcescu, J.C. Vial, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. St. Sol. (b), 190, 123 (1995)
  7. M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki. Jap. J. Appl. Phys., 39, pt. 2, L716 (2000)
  8. M. Watanabe, I. Iketani, M. Asada. Japan J. Appl. Phys., 39, pt. 2, L964 (2000)
  9. V. Ioannou-Sougleridis, V. Tsakiri, A.G. Nassiopoulou. In: Silicon Modules for Integrated Light Engineering, Report on the ESPRIT Project N 28 741 (Marseille, France, 2000) p. 133
  10. Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 35, 110 (2001)
  11. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТП, 39, 1905 (1997)
  12. К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: K.C. Kao, W. Hwang. Electrical transport in solids (N.Y., Pergamon Press) v. 1]
  13. В.Я. Кирпиченков. ЖЭТФ, 116, 1048 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.