Электронные состояния в сверхрешетках (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N
Караваев Г.Ф.1, Чернышов В.Н.1, Егунов Р.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
-1 Исследованы электронные состояния для энергий в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N (111). Расчеты проведены на основе обобщенной на рассматривaемые структуры модели сшивания огибающих функций на гетерограницах. Исследованы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что последние имеют значительную величину не только при поляризации света в направлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном к поверхности структуры падении световой волны. Отмечена перспективность изученных сверхрешеток в качестве материала для фотоприемников инфракрасного излучения.
- Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов. ФТП, 36 (5), 558 (2002)
- D.Y. Ko, J.S. Inkson. Phys. Rev. B, 38, 9946 (1988)
- С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП, 26, 2057 (1992)
- Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. ФТП, 35, 105 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.