"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные состояния в сверхрешетках (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N
Караваев Г.Ф.1, Чернышов В.Н.1, Егунов Р.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

-1 Исследованы электронные состояния для энергий в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N (111). Расчеты проведены на основе обобщенной на рассматривaемые структуры модели сшивания огибающих функций на гетерограницах. Исследованы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что последние имеют значительную величину не только при поляризации света в направлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном к поверхности структуры падении световой волны. Отмечена перспективность изученных сверхрешеток в качестве материала для фотоприемников инфракрасного излучения.
  1. Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов. ФТП, 36 (5), 558 (2002)
  2. D.Y. Ko, J.S. Inkson. Phys. Rev. B, 38, 9946 (1988)
  3. С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП, 26, 2057 (1992)
  4. Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов. ФТП, 35, 105 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.