Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллитах PbTe
1Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 4 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Исследованы спектры отражения в дальней инфракрасной области спектра (область частот 20-700 см-1) и комбинационного рассеяния света в образцах пористого теллурида свинца. Форма полученных спектральных зависимостей значительно отличается от наблюдаемых в случае объемного монокристаллического PbTe. Кроме продольной оптической (LO) и поперечной оптической (TO) фононных мод, частоты которых близки к частотам в объемном материале, в спектрах обнаружены дополнительные колебательные моды. Их количество и спектральное положение удовлетворительно согласуются с результатами теоретических расчетов, выполненных для нахождения частот колебательных мод нанокристаллитов с учетом граничных условий на их поверхности. Использование данной модели позволяет рассчитать частоты колебаний смешанных фононных мод в квантовых точках при взаимном рассмотрении амплитуды смещений атомов и вызванного этим изменения электростатического потенциала. Экспериментально подтвержден вывод о смешанном (LO-TO) характере обнаруженных дополнительных мод колебаний. Использование методов атомно-силовой микроскопии позволило оценить значение среднего радиуса квантовых точек, формирующих нанорельеф слоя пористого PbTe.
- А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 262 (1994)
- H. Fu, V. Ozoli nv s, A. Zunger. Phys. Rev. B, 59, 2881 (1999).
- В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
- А.Д. Ахсахалян, Ю.Н. Бузынин, Н.В. Востоков, Д.Н. Гапонова, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, В.И. Шашкин. Матер. IX Нац. конф. по росту кристаллов (М., ИК РАН, 2000)
- S. Nomura, T. Kobayashi. Phys. Rev. B, 49, 13 704 (1992)
- E. Roca, C. Trallero-Giner, M. Cardona. Phys. Rev. B, 51, 1680 (1995)
- T.D. Krauss, F.W. Wise, D.B. Tanner. Phys. Rev. Lett., 75, 1376 (1996)
- M.K. Norr. J. Electrochem. Soc., 109, 433 (1962)
- Е.А. Виноградов, И.И. Хаммадов. Спектроскопия объемных и поверхностных фононов кристаллов (Ташкент, Фан, 1989)
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
- N. Romcevic, M. Romcevic, D.R. Khokhlov, A.I. Belogorokhov, I.I. Ivanchik, W. Konig. Infr. Phys. Technol., 40, 453 (1999)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
- A.I. Belogorokhov, R. Enderlein, A. Tabata, J.R. Leite, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Phys. Rev. B, 56, 10 276 (1997)
- V.I. Klimov, A.A. Mikhailovsky, Su Xu, A. Malko, J.A. Hollingsworth, C.A. Leatherdale, H.-J. Elser, M.G. Bawendl. Science, 290, 314 (2000)
- A.P. Mirgorodsky, T. Merle-Me'jean, J.-C. Champarnaud, P. Thomas, B. Frit. J. Phys. Chem. Sol., 61, 501 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
