"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник с учетом тока через диэлектрик
Берман Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

В структурах металл--диэлектрик--полупроводник с тонким диэлектриком нужно учитывать влияние тока через диэлектрик на заряд поверхностных состояний. Захват носителей тока на поверхностные состояния подавляет их термоэмиссию с поверхностных состояний. Этот процесс замедляет увеличение заряда поверхностных состояний при увеличении (по абсолютной величине) потенциала поверхности. Определение плотности поверхностных состояний методом высокочастотной емкости дает заниженное (в пределе --- нулевое) значение плотности поверхностных состояний. Аномальная зависимость плотности поверхностных состояний от потенциала поверхности может быть индикатором равномерного по площади тока через диэлектрик.
  1. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1981) т. 1
  2. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal--Oxide--Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1983)
  3. M.C. Chen, D.V. Lang, W.C. Dautremont-Smith, A.M. Sergent, J.R. Harrison. Appl. Phys. Lett., 44, 790 (1984)
  4. E.K. Kim, H.Y. Cho, S.K. Min. J. Appl. Phys., 67, 1380 (1990)
  5. K. Dmowski, B. Lepley, E. Losson, M.El. Bouabdellati. J. Appl. Phys., 74, 3936 (1993)
  6. С.В. Тихов, А.П. Касаткин, С.И. Карпович. ФТП, 25, 434 (1991)
  7. А.А. Лебедев. ФТП, 28, 1980 (1994)
  8. Л.С. Берман, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Е.В. Остроумова. ФТП, 27, 917 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.