"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение концентрации глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней
Агафонов Е.Н.1, Георгобиани А.Н.1, Лепнев Л.С.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки, энергетического положения глубоких уровней, концентраций глубоких и мелких дефектов, температуры и прикладываемых к образцу напряжений на вид выражения, определяющего концентрацию глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при измерениях методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. На основе результатов анализа предложена методика определения концентрации глубоких центров, подходящая как для "нормальных", так и для "аномальных" уровней.
  1. Е.Н. Агафонов, У.А. Аминов, А.Н. Георгобиани, Л.С. Лепнев. ФТП, 35, 48 (2001)
  2. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  3. L. Stolt, K. Bohlin. Sol. St. Electron., 28, 1215 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.