Вышедшие номера
Электрические свойства диодов Шоттки на основе узкозонного HgMnTe
Косяченко Л.А.1, Марков А.В.1, Остапов С.Э.1, Раренко И.М.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 30 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследованы электрические свойства барьеров Шоттки Al-Hg1-xMnxTe (x=0.08-0.1). Выявлены особенности электрических характеристик диодов, обусловленные узкой запрещенной зоной и сильным различием эффективных масс носителей заряда. Определены основные параметры диодной структуры и механизмы переноса заряда, ответственные за ее характеристики, - туннелирование и надбарьерное (диффузионное) прохождение носителей. Результаты, полученные экспериментально и теоретически, свидетельствуют о достаточно высокой обнаружительной способности исследуемых диодов.