Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства диодов Шоттки на основе узкозонного HgMnTe

Косяченко Л.А.¹, Марков А.В.¹, Остапов С.Э.¹, Раренко И.М.¹, Склярчук В.М.¹, Склярчук Е.Ф.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 30 января 2002 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические свойства барьеров Шоттки Al-Hg_1-xMn_xTe (x=0.08-0.1). Выявлены особенности электрических характеристик диодов, обусловленные узкой запрещенной зоной и сильным различием эффективных масс носителей заряда. Определены основные параметры диодной структуры и механизмы переноса заряда, ответственные за ее характеристики, - туннелирование и надбарьерное (диффузионное) прохождение носителей. Результаты, полученные экспериментально и теоретически, свидетельствуют о достаточно высокой обнаружительной способности исследуемых диодов.

J.K. Furdyna. Proc. SPIE, 409, 43 (1983)
P. Becla. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 2014 (1986)
A. Rogalski. Infrared. Phys., 31, 117 (1991)
L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, Sun Weiguo, Lu Zheng Xiong. Sol. St. Electron., 44, 1197 (2000)
Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 35, 1326 (2001)
L.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, O.O. Bodnaruk, V.M. Frasunyak, V.M. Sklyarchuk, Ye.F. Sklyarchuk, Sun Weiguo, Lu Zheng Xiong. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 2, 31 (1999)
С.Г. Гасан-Заде, И.П. Жадько, О.Е. Зинченко, В.И. Каленик, И.М. Раренко, В.А. Романов, Г.А. Шепельский. ФТП, 26, 1100 (1992)
В.В. Завьялов, В.Ф. Раданцев, Т.И. Дерябина. ФТП, 26, 691 (1992)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of semiconductor devices (N.Y., Willey-Interscience, 1981) v. 1]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель