"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние состояния поверхности кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si
Калыгина В.М.1, Хлудкова Л.С.1, Балюба В.И.1, Давыдова Т.А.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследовано влияние термического отжига кремния перед нанесением палладиевого контакта на чувствительность к водороду барьерных структур палладий--<естественный окисел>--кремний. Показано, что структуры на основе отожженного кремния имеют существенно большую чувствительность к водороду и меньшее время отклика, чем структуры на основе кремния, не подвергавшегося отжигу. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения структурных изменений, происходящих при термообработке на границе раздела кремния--<естественный окисел>.
  1. A. Diligenti, M. Stagi, V. Ciuti. Sol. St. Commun., 45, 347 (1983)
  2. M.C. Petty. Sol. St. Electron., 29, 89 (1986)
  3. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63 (2), 185 (1993)
  4. В.И. Гаман, П.Н. Дробот, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Поверхность, N 11, 64 (1996)
  5. С.А. Литвиненко, В.В. Митрофанов, В.И. Соколов. ЖТФ, 51 (4), 828 (1981)
  6. В.Г. Литовченко. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, N 9, 92 (1972)
  7. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.