"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мелкие p-n-переходы в Si, изготовленные методом импульсного фотонного отжига
Шишияну С.Т.1, Шишияну Т.С.1, Райлян С.К.1
1Технический университет Молдавии, Кишинев, Молдавия
Поступила в редакцию: 21 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Получены и исследованы мелкие и сверхтонкие переходы, изготовленные методом стимулированной диффузии P из фосфоросиликатного стекла и B из боросиликатного стекла в Si при импульсном фотонном отжиге; исследованы их электрические, фотоэлектрические и оптические свойства. Установлены особенности стимулированной диффузии P и B в приповерхностной области кремния при фотонном отжиге. Полученные результаты обсуждаются на основе различных механизмов диффузии --- kick-out, вакансионно-межузельного и диссоциативного; профили распределения примеси объясняются моделью парной вакансионно-межузельной диффузии и моделью стимулированной диффузии с учетом временной зависимости поверхностной концентрации примеси и концентрационной зависимости коэффициента диффузии.
  1. Н. Баграев, А.Д. Буравлев, Д.К. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков. ФТП, 34 (8), 725 (2000)
  2. S.T. Si sianu. Tehnologii neconven tionale \^in microelectronica cu tratament fotonic si difuzie stimulata (Chi sinau, Tehnica U.T.M., 1998)
  3. M. Draganescu. Proc. of 1997-Intermational Semiconductor Conference, 20th Edition (Sinaia, Romania, 1997)
  4. Н.Т. Баграев, Д.К. Клячкин, В.Л. Суханов. Письма ЖТФ, 17, 42 (1991)
  5. А.А. Андронов, Н.Т. Баграев, Д.К. Клячкин, А.М. Маляренко, С.В. Робозеров. ФТП, 33(1), 58 (1999); ФТП, 32(2), 137 (1998)
  6. A. Bousetta, J.A. Van der Berg, D. Armour, P.C. Zalm. Appl. Phys. Lett., 58 (15), 1626 (19991)
  7. Л.В. Докукина, С.И. Кондратенко. Электронная промышленность, N 1, 62 (1992)
  8. A.Yu. Kuznetsov, M. Janson, A. Hallin, B.G. Svensson, A. Nylandsted-Larsen. Nucl. Instr. Math. B, 148, 279 (1999)
  9. H.B. Erzgreber, P. Zaumseil, E. Bugiel, K. Tittelbach-Helmrick, F. Richter, D. Pankin, M. Trapp. J. Appl. Phys., Pt. 1, 72 (1) 73 (1992)
  10. Т.Д. Джафаров. Фото-стимулированные атомные процессы в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1984)
  11. D.C. Schmidt, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom, S. Godey, E. Nysocnzok, J.F. Barbat, C. Blanchard. Mater. Sci. Engin. B, 57, 161 (1999)
  12. И.К. Синищук, Г.Е. Чайка, Ф.С. Шишияну. ФТП, 12 (4), 674 (1985)
  13. T.S. Shishiyanu, I.K. Sinischiuk, S.T. Shishiyanu. Int. J. Electron., 78 (4), 699 (1995)
  14. M. Miyake. J. Electrochem. Soc., 138 (10), 901 (1991)
  15. B. Hartiti, A. Slaoni, I.C. Muller, R. Stuck, P. Siffert. J. Appl. Phys., 71 (11), 5474 (1992)
  16. О.И. Величко, В.А. Лабунов. Микроэлектроника, 14 (6), 542 (1986)
  17. Ad. Agarwal, D.H. Eaglesham, H.J. Gassmann, L. Pelaz, S.B. Herner, D.C. Jacobson, T.E. Haynes. Lecture Tu-1430, Modeling enhanced diffusion of implanted dopants. http: //www.ihp-microelectronics.com/chipps/Djpg/Agarwal.html
  18. I.M. Dharmadasa, M. Ives, J.S. Brooks, G.F. France, S.J. Brown. Semicon. Sci. Technol., 10, 369 (1995)
  19. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 45, 1567 (1974)
  20. R.B. Fair, J.C.C. Tsai. J. Electrochem. Soc., 124, 1107 (1977)
  21. R.B. Fair. Diff. and Defect Data, 37, 1 (1984)
  22. M.R. Pinto, D.M. Baulin, C.S. Rafferty, R.K. Smith, J.W.M. Coughran, I.C. Kizilyally, M.J. Thomas. In: IEDM-92, p. 923
  23. M. Uematsu. Japan. J. Appl. Phys., 38, 6188 (1999)
  24. M. Yoshida, M. Morooka, M. Takahashi, H. Tomokage. Japan. J. Appl. Phys., 39, 2483 (2000)
  25. M. Yoshida, M. Takahashi, H. Tomokage. Japan. J. Appl. Phys., 38, 36 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.