Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость длины волны излучения квантовых ям InGaAsN от состава четверного соединения

Жуков А.Е.¹, Ковш А.Р.¹, Семенова Е.С.¹, Устинов В.М.¹, Wei L.¹, Wang J.-S.¹, Chi J.Y.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально исследована зависимость спектрального положения линии фотолюминесценции квантовых ям InGaAsN от химического состава четверного соединения. Предложено эмпирическое выражение, позволяющее с хорошей точностью описать наблюдаемые закономерности и предсказать требуемый состав соединения для достижения заданной длины волны.

V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36 (16), 1384 (2000).
K.D. Choquette, J.F. Klem, A.J. Fischer, O. Blum, A.A. Allerman, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett., 36 (16), 1388 (2000)
G. Steinle, H. Riechert, A.Yu. Egorov. Electron. Lett., 37 (2), 93 (2001)
F. Quochi, J.E. Cunningham, M. Dinu, J. Shah. Electron. Lett., 36 (25), 1469 (2000)
T. Anan, M. Yamada, K. Nishi, K. Kurihara, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett., 37 (9), 405 (2001)
W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
H. Riechert, A.Yu. Egorov, G. Dumitras, B. Borchert. Abstracts Int. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS 25, Osaka 2000) p. ca314UO4 (2000)
H.P. Xin, K.L. Kavanagh, C.W. Tu. J. Cryst. Growth, 208, 145 (2000)
J.S. Wang, H.H. Lin, L.W. Sung, G.R. Chen. J. Vac. Sci. Technol. B, 19 (1), 202 (2001)
M.C. Larson, C.W. Coldren, S.G. Spruytte, H.E. Petersen, J.S. Harris. IEEE Photon. Tech. Lett., 12 (12), 1598 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель