"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура гетерограниц и фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток, выращенных на (311)A- и (311)B-ориентированных поверхностях: сравнительный анализ
Любас Г.А.1, Леденцов Н.Н.2, Литвинов Д.3, Семягин Б.Р.1, Сошников И.П.2, Устинов В.М.2, Болотов В.В.1, Gerthsen D.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Поступила в редакцию: 10 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток второго типа, выращенных на поверхности (311), определяются ее полярностью. Ранее электронно-микроскопические исследования показали наличие в образцах, выращенных на поверхности (311)A, гофрировки ( corrugation) обоих GaAs / AlAs- и AlAs / GaAs-интерфейсов с высотой 1 нм и периодом 3.2 нм. В настоящей работе в электронно-микроскопических картинах и их фурье-изображениях сверхрешетки, выращенной на поверхности (311)B, латеральная периодичность в 3.2 нм также выявляется, однако выражена она слабо, что связано с нечетким гофрированием и наличием длинноволнового (>10 нм) беспорядка. Спектры фотолюминесценции сверхрешетки GaAs / AlAs на поверхности (311)A сильно поляризованы относительно направления гофрирования интерфейса в отличие от сверхрешетки (311)B, где гофрировка выражена слабо. Нами обнаружено, что гигантское замешивание Gamma- и X-минимумов зоны проводимости имеет место только для сверхрешоток с сильно гофрированными интерфейсами и позволяет получить ярко-красную люминесценцию вблизи 650 нм вплоть до комнатной температуры. Обнаруженные отличия для сверхрешеток, выращенных на поверхностях (311)A и (311)B, подтверждают, что именно гофрирование интерфейса, а не кристаллографическая ориентация играет определяющую роль в оптических свойствах сверхрешоток (311).
  1. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  2. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein. Phys. Rev. B, 45, 3507 (1992)
  3. Г.А. Любас, В.В. Болотов. Письма ЖЭТФ, 72, 294 (2000). [JETP Lett., 72, 205 (2000)]
  4. G.A. Lyubas, V.V. Bolotov. Abstracts 9th Int. Conf. on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (Rimini, Italy, Sept. 24--28, 2001) p. 214
  5. N.N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I.P. Soshnikov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zukov, V.A. Volodin, V.E. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.P. Semyagin, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater., 30, 463 (2001)
  6. Z.M. Wang, L. Daweritz, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 78, 712 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.