"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннелирование электронов через двойной барьер в структуре металл--окисел--кремний при обратном смещении
Карева Г.Г.1, Векслер М.И.2, Грехов И.В.2, Шулекин А.Ф.2
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Изучается комплекс эффектов в МОП структурах металл/туннельно-тонкий SiO2/p+-Si, связанных с туннелированием электронов из валентной зоны объема Si в металл через два последовательно расположенных туннельно-прозрачных барьера: барьер обедненной области пространственного заряда Si и барьер SiO2 с возможным промежуточным участием квантовой ямы, образованной зоной проводимости Si. В рамках простой модели, учитывающей данный механизм токопереноса, рассчитаны вольт-амперные характеристики структур для режима чистого обеднения, т. е. в пренебрежении зарядом инверсионного слоя. Обсуждена связь параметров структуры --- уровня легирования p-Si, толщины окисла --- с относительной ролью токов нерезонансного и резонансного (через размерно-квантованные уровни в зоне проводимости Si) туннелирования в балансе токов в МОП структуре. Сформулированы условия, наиболее благоприятные для наблюдения резонансных эффектов.
  1. Г.Г. Карева. ФТП, 33, 969 (1999)
  2. H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S.-I. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., 43, 1233 (1996)
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 7
  4. Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989) с. 217
  5. K. Brennan. J. Appl. Phys., 62, 2392 (1987)
  6. A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14, 470 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.