Изучается комплекс эффектов в МОП структурах металл/туннельно-тонкий SiO₂/p⁺-Si, связанных с туннелированием электронов из валентной зоны объема Si в металл через два последовательно расположенных туннельно-прозрачных барьера: барьер обедненной области пространственного заряда Si и барьер SiO₂ с возможным промежуточным участием квантовой ямы, образованной зоной проводимости Si. В рамках простой модели, учитывающей данный механизм токопереноса, рассчитаны вольт-амперные характеристики структур для режима чистого обеднения, т. е. в пренебрежении зарядом инверсионного слоя. Обсуждена связь параметров структуры - уровня легирования p-Si, толщины окисла - с относительной ролью токов нерезонансного и резонансного (через размерно-квантованные уровни в зоне проводимости Si) туннелирования в балансе токов в МОП структуре. Сформулированы условия, наиболее благоприятные для наблюдения резонансных эффектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.