"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двумерный p-n-переход в равновесии
Ачоян А.Ш.1, Есаян А.Э.1, Казарян Э.М.1, Петросян С.Г.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 11 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Впервые предложена идея двумерного p-n-перехода, представляющего собой контакт между двумя областями квантово-размерной пленки с разным типом электропроводности. В равновесных условиях найдено распределение потенциала и высота потенциального барьера. Получено выражение для ширины слоя поверхностного заряда, которая в отличие от трехмерного случая зависит линейно от контактной разности потенциалов (внешнего смещения). Удельная емкость двумерного p-n-перехода практически не зависит от внешнего смещения и определяется лишь диэлектрической проницаемостью окружающей среды. Показано, что, несмотря на слабость экранирования контактного электрического поля, для описания свойств таких p-n-переходов можно использовать приближение Шоттки.
  1. С.Г. Петросян, А.Я. Шик. ЖЭТФ, 96, 2229 (1989)
  2. А.Я. Шик. ФТП, 29, 1345 (1995)
  3. B. Gelmont, M. Shur, C. Moglestue. IEEE Trans. Electron. Dev., 39 (5), 1216 (1992)
  4. W. Porod, H. Harbury, S. Goodnick. Appl. Phys. Lett., 61 (15), 1823 (1992)
  5. H. Hasegawa, T. Hashizume, H. Okada, K. Jinushi. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (4), 1744 (1995)
  6. M. Horstman, K. Scheimpt, M. Marso, A. Fox, P. Kordos. Electron. Lett., 32, 732 (1996)
  7. W.C.B. Peatman, T.W. Crowe, M. Shur. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 11 (1992)
  8. M. Marso, M. Horstmann, H. Hardtdegen, P. Kordos, H. Luth. Sol. St. Electron., 41 (1), 25 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.