"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет подвижности и термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами
Пшенай-Северин Д.А.1, Равич Ю.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Произведен расчет термоэлектрической добротности многослойных структур с квантовыми ямами с учетом изменения времени релаксации носителей по сравнению с объемным образцом. Учитывались механизмы рассеяния на акустических фононах, близкодействующем потенциале примесей и полярного рассеяния в приближении изотропного параболического закона дисперсии носителей. Использованная модель основана на предположении, что фононный спектр в сверхрешетке не отличается от объемного. Кроме того, рассеяние считается упругим и используется приближение времени релаксации для всех трех рассмотренных механизмов рассеяния. Сравнение с расчетом для объемного образца показало, что учет уменьшения времени релаксации в двумерном случае приводит к тому, что выражения для термоэлектрической добротности в обоих случаях совпадают и их величины оказываются равными, если химический потенциал в каждом из случаев выбирается из условия максимума добротности.
  1. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 12 727 (1993)
  2. L.D. Hicks, T.C. Harman, X. Sun, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 53, 10 493 (1996)
  3. T.L. Reinecke, D.A. Broido. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 487, 161 (1997)
  4. D.A. Broido, T.L. Reinecke. Appl. Phys. Lett., 70, 2834 (1997)
  5. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  6. B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5899 (1982)
  7. Б.А. Тавгер, В.Я. Демиховский. УФН, 96, 61 (1968)
  8. А.Я. Шик. ФТП, 7, 261 (1973)
  9. H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann et al. Appl. Phys. Lett., 39, 912 (1982)
  10. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968). [Пер. на англ.: Yu.I. Ravich, B.A. Efimova, I.A. Smirnov. Semiconducting Lead Chalcogenides., ed. L.S. Stil'bans (Plenum Press, N.Y.--London, 1970)]
  11. B.K. Ridley. Rep. Prog. Phys., 54, 169 (1991)
  12. H. Rucker, E. Molinary, P. Lugli, Phys. Rev. B, 44, 3463 (1991)
  13. H. Rucker, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
  14. N.A. Zakhleniuk, C.R. Benett, N.C. Constantinov, B.K. Ridley, M. Babiker. Phys. Rev. B, 54, 17 838 (1996)
  15. N. Nishiguchi. Phys. Rev. B, 54, 1494 (1996)
  16. Ю.И. Иванов, М.В. Ведерников, Ю.И. Равич. Письма ЖЭТФ, 69, 290 (1999). [JETP Lett., 69, 317 (1999)].
  17. A. Balandin. Phys. Low-Dim. Structur. 1/2, 1 (2000)
  18. K. Hess. Appl. Phys. Lett., 35, 484 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.