"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур (lambda=1.3-1.6 мкм)
Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Фетисова Н.В.1, Голикова Е.Г.2, Рябоштан Ю.А.2, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Экспериментально и аналитически исследованы возможности достижения максимальной оптической мощности излучения в одномодовом режиме генерации для лазерных диодов мезаполосковой конструкции, выполненных на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения. Показано, что основным требованием обеспечения одномодового режима работы в широком диапазоне токов накачки для лазерных диодов является точный выбор значений скачка эффективного показателя преломления Delta nL в плоскости, параллельной p-n-переходу. Методом МОС-гидридной эпитаксии разработана InGaAsP/InP-гетероструктура раздельного ограничения со ступенчатым волноводом с пороговой плотностью тока 180 А/см2 и внутренним квантовым выходом стимулированного излучения 93-99%. Проведена оптимизация мезаполосковой конструкции лазерного диода для разработанной InGaAsP/InP-гетероструктуры, с целью достижения максимальной оптической мощности в одномодовом режиме генерации. Достигнута выходная непрерывная мощность излучения 185 мВт при одномодовом режиме работы лазерного диода с шириной мезаполоска W=4.5 мкм (lambda=1480 нм), максимальная непрерывная мощность составила 300 мВт. Полуширина излучения параллельного дальнего поля возросла на 1o относительно порогового значения.
  1. S. Namiki. IEEE. J. Selected Topics Quant. Electron., 7 (1), 3 (2001)
  2. T. Namegaya, R. Katsumi, N. Iwai, S. Namiki, A. Kasukawa, Y. Hiratani, T. Kikuta. IEEE J. Quant. Electron., 29 (6), 1924 (1993)
  3. A. Mathur, M. Fisher, M. Ziari, M. Hagberg, E. Kolev. Electron. Lett., 35 (12), 983 (1999)
  4. D. Garbuzov, R. Menna, A. Komissarov, M. Maiorov, V. Khalfin, A. Tsekoun, S. Todorov, J. Connolly. Optical Fiber Commun. Conf. OSA Techn. Digest Ser. (Optical Society of America, Washington, D.C., 2001) PD18 1--3
  5. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (7), 886 (2000)
  6. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.А. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (20), 40 (2000)
  7. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.А. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34 (12), 1457 (2000)
  8. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 5 (2000)
  9. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (7), 57 (2000)
  10. S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (N. Y., John Wiley \& Sons, 1995)
  11. М.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, Ю.В. Ильин, Ю.А. Корсакова, А.Ю. Лешко, А.С. Лунев, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 21 (3), 70 (1995)
  12. J.-P. Weber. IEEE J. Quant. Electron., 30 (8), 1801 (1994)
  13. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 929 (1991)
  14. A. Komissarov, M. Maiorov, R. Menna, S. Todorov, J. Connolly, D. Garbuzov, V. Khalfin. CLEO'2001, Conf. Proc., CMG1 (2001)
  15. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (3), 364 (2002)
  16. Ж.И. Алфёров, М.А. Иванов, Ю.В. Ильин, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 21 (3), 64 (1995)
  17. N.A. Pikhtin, N.V. Fetisova, E.G. Golikova, A.V. Lyutetskiy, S.O. Slipchenko, I.S. Tarasov. ECOC'01, Conf. Proc., 2, 166 (2001)
  18. W.D. Herzog, B.B. Goldberg, M.S. Unlu. IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (12), 1604 (2000)
  19. Gen-Lin Tan, R.S. Mand, J.M. Xu. IEEE J. Quant. Electron., 33 (8), 1384 (1997)
  20. R. Gordon, J. Xu. IEEE. J. Quant. Electron., 35 (12), 1904 (1999)
  21. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.