Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Шмагин В.Б.¹, Андреев Б.А.¹, Антонов А.В.¹, Красильник З.Ф.¹, Кузнецов В.П.², Кузнецов О.А.², Ускова Е.А.², Ammerlaan C.A.J.³, Pensl G.⁴

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского университета, Нижний Новгород, Россия
³Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam, XE Amsterdam, The Netherlands
⁴Institute of Applied Physics, University of Erlangen-Nurnberg, Gebaude A3,, Erlangen, Germany

Поступила в редакцию: 29 мая 2001 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами адмиттанс-спектроскопии с температурным сканированием и релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследованы электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si : Er, выращенных на подложках из монокристаллического кремния методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что суммарная концентрация электрически активных центров определяется мелкими донорными центрами с энергией ионизации от 0.016 до 0.045 эВ. Исследовано влияние условий роста и послеростового отжига на состав и концентрацию электрически активных центров. В слоях Si : Er, получаемых сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксией и ионной имплантацией, установлены существенные различия в составе электрически активных центров с глубокими уровнями и в каналах передачи возбуждения от электронной подсистемы кристалла Si ионам Er³⁺.

J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher. Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
R. Serna, J.H. Shin, M. Lohngmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 79, 2658 (1996)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
M. Stepikhova, A. Andreev, B. Andreev, Z. Krasil'nik, V. Shmagin, V. Kuznetsov, R. Rubtsova, W. Jantsch, H. Ellmer, L. Palmetshoffer, H. Preier, Yu. Karpov, K. Piplits, H. Hutter. Acta Phys. Polon. A, 94, 549 (1998)
А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, Ю.А. Карпов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.Б. Шмагин, Е. Хельмут, Л. Пальметсхофер, К. Пиплитц, Х. Хайнц. ФТП, 33, 156 (1999)
B.A. Andreev, A.Yu. Andreev, H. Ellmer, H. Hutter, Z.F. Krasil'nik, V.P. Kuznetsov, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshoffer, K. Piplits, R.A. Rubtsova, N.S. Sokolov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, E.A. Uskova. J. Cryst. Growth, 201 / 202, 534 (1999)
M.V. Stepikhova, B.A. Andreev, V.B. Shmagin, Z.F. Krasil'nik, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, W. Jantsch, L. Palmetshofer, H. Ellmer. Thin Sol. Films, 381, 164 (2001)
M. Stepikhova, B. Andreev, Z. Krasil'nik, A. Soldatkin, V. Kuznetsov, O. Gusev. Mater. Sci. Eng. B, 81 (1--3), 67 (2001)
В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, М.В. Степихова, В.П. Кузнецов, Е.А. Ускова, О.А. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 276 (2001)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, O.A. Kuznetsov, L.E. Nikolaeva, T.M. Sotova, N.V. Gudkova. Phys. St. Sol. (a), 127, 371 (1991)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995) гл. 1, с. 23
F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. In: Rare Earth Doped Semiconductors, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, and D.W. Langer [Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pitsburgh), 422, 1996] p. 87
V.V. Emtsev, V.V. Emtsev jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 1192 (1999)
S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
Б.А. Андреев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, А.О. Солдаткин, И.Н. Яссиевич. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 271 (2001)
М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38, 1474 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель