"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Концентрационная зависимость краевой фотолюминесценции полуизолирующего нелегированного GaAs
Коваленко В.Ф.1, Литвинова М.Б.1, Шутов С.В.1
1Инcтитут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 2 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Изучены зависимости спектрального положения максимума полосы краевой фотолюминесценции, ее полуширины, удельного сопротивления, подвижности носителей заряда в кристаллах полуизолирующего нелегированного GaAs от концентрации углерода NC при 77 K (3.0· 1015=<q N C=<q 4.3· 1016 см-3). Наблюдаемые зависимости объяснены характером взаимодействия носителей заряда с ионизированными атомами примесей и со структурными дефектами.
  1. К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 24, 66 (1992)
  2. M. Suemitsu, M. Nishijima, N. Miyamoto. J. Appl. Phys., 69, 7240(1991)
  3. M.W. Duncan, G.H. Westphal, A.J. Purdes. J. Appl. Phys., 66, 2430 (1989)
  4. Ю.Н. Большева, М.А. Ильин, А.В. Марков. Высокочистые вещества, N 4, 210 (1989)
  5. М.И. Калинин, М.Т. Лисица, Ф.В. Моцный. УФЖ, 37 (3), 330 (1992)
  6. М.И. Калинин, М.Т. Лисица, Ф.В. Моцный. УФЖ, 37 (4), 528 (1992)
  7. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрельчук. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 32, 61 (1997)
  8. В.С. Багаев, Л.И. Падучих, Т.С. Сахоненко. Экситоны в полупроводниках. (М., Наука, 1971) с. 54
  9. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133 (3), 427 (1981)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  11. E. Grilli, M. Grilli, R. Zambani, L. Paussi. Phys. Rev. B, 45, 1638 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.