"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отжиг глубоких центров бора в карбиде кремния
Балландович В.С.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовано влияние отжига на эффективность высокотемпературной люминесценции в образцах 6H-SiC, выращенных в различных условиях и легированных бором. Часть образцов была подвергнута радиационному облучению. Показано, что эффективность высокотемпературной люминесценции определяется содержанием в образцах глубоких центров бора, выявляемых емкостной спектроскопией как D-центры. Высокотемпературная обработка приводит к распаду D-центров, являющихся комплексами BSi-VC, при этом часть атомов бора переходит в электрически неактивное состояние. Установлено, что глубокие центры бора термически стабильны до ~ 1500oC. Сохранение этих центров до более высоких температур (вплоть до 2600oC) обусловлено присутствием в кристаллах SiC кластеров, являющихся источниками неравновесных углеродных вакансий. Подобные кластеры содержат кристаллы, выращенные в избытке кремния или облученные высокоэнергетическими частицами. Этим объясняется существенная зависимость как концентрации D-центров, так и температуры их отжига от условий приготовления образца.
  1. S.H. Hagen, A.W.C. Kemenade. Phys. St. Sol. A, 33, 97 (1976)
  2. Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.П. Зверев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.Ф. Симахин. ФТП, 11, 373 (1977)
  3. Э.Е. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 6, 1696 (1964)
  4. H. Kuwabara, S. Yamada. Phys. St. Sol. A, 30, 739 (1975)
  5. А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю.И. Козлов, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980)
  6. V.S. Ballandowich, Yu.N. Tairov, G.N. Violina. Phys. St. Sol. A, 65, 109 (1981)
  7. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
  8. W. Suttrop, G. Pensl, P. Lanig. Appl. Phys. A., 51, 231 (1990)
  9. А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, В.Г. Степанов. ФТТ, 27, 322 (1985)
  10. A. Van Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B., 57, 1607 (1998)
  11. Ю.А. Водаков, Г.Г. Гончаров, Г.А. Ломакина, А.А. Мальцев, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, М.Г. Рамм, Г.Г. Рябова. ФТП, 21, 207 (1987)
  12. В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП, 29, 370 (1995)
  13. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn., 14, 729 (1979)
  14. Е.И. Радованова, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков. ФТП, 17, 1115 (1983)
  15. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 197 (1994)
  16. А.И. Гирка, Е.Н. Мохов. ФТТ, 37, 1855 (1995)
  17. S.G. Sridhara, L.L. Clemen, R.P. Devaty, W.J. Choyke, D.J. Larkin, H.S. Kong, T. Troffer, G. Pensl. J. Appl. Phys., 83, 7909 (1998)
  18. А.И. Гирка, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, В.М. Осадчиев, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ЖЭТФ, 97, 578 (1990)
  19. M. Itoh. Phys. St. Sol. B, 202, 173 (1997)
  20. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.