"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение алмазных пленок на кристаллическом кремнии методом термического газофазного осаждения

Байдакова М.В.¹, Вуль А.Я.¹, Голубев В.Г.¹, Грудинкин С.А.¹, Мелехин В.Г.¹, Феоктистов Н.А.¹, Крюгер А.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Тоёхашский технологический университет,0 Тоёхаши, Япония

Поступила в редакцию: 25 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования влияния параметров процесса термического газофазного осаждения на фазовый состав алмазных пленок, выращенных на кремниевой подложке. Найден режим роста, отвечающий наибольшему содержанию в пленках алмазной фазы при скорости роста ~ 1 мкм/ч.

J.C. Angus, C.C. Hayman. Science, 241, 913 (1988)
S. Shikata. MRS Bulletin, 23 (9), 61 (1998)
V. Malcher, A. Kromka, J. Janik, V. Dubravcova, P. Vogrincic. Acta Physica Slovaca, 50, 673 (2000)
A. Sawabe, T. Inuzuka. Appl. Phys. Lett., 46, 146 (1985)
X.C. He, H.S. Shen, Z.M. Zhang, X.J. Hu, Y.Z. Wan, T. Shen. Diamond Relat. Mater., 9, 1626 (2000)
A.M. Stoneham, I.J. Ford, P.R. Chalker. MRS Bulletin, 23 (9), 28 (1998)
C. Arnault, L. Demuynck, C. Speisser, F.L. Normand. Eur. Phys. J. B, 11, 327 (1999)
N.S. Xu, J. Chen, S.Z. Deng, K.H. Wu, E.G. Wang. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 1572 (2000)
Y. Chakk, R. Brener, A. Hoffman. Appl. Phys. Lett., 66, 2819 (1995)
H. Makita, K. Nishimura, N. Jiang, A. Hatta, T. Ito, A. Hiraki. Thin Sol. Films, 281, 279 (1996)
P. Ascarelli, S. Fontana. Appl. Surf. Sci., 64 (4), 307 (1993)
B.R. Stoner, G.-H.M. Ma, S.D. Wolter, J.T. Glass. Phys. Rev. B, 45, 11 067 (1992)
D.-W. Kweon, J.-Y. Lee, D. Kim. J. Appl. Phys., 69, 8329 (1991)
K.E. Spear, M. Frenklach. Synthetic diamond: Emerging CVD science and technology, ed. by K.E. Spear, J.P. Dismukes (N. Y., John Wiley and Sons, Inc., 1994) p. 243
A.K. Skider, A.P. Jacob, T. Sharda, D.S. Misra, M. Pandey, D. Kabriraj, D.K. Avasthi. Thin Sol. Films, 32, 98 (1998)
S. Logothetidis. Appl. Phys. Lett., 69, 158 (1996)
R.G. Buckley, T.D. Moustakas, L. Ye, J. Varon. J. Appl. Phys., 66, 3595 (1989)
L. Bergman, R.J. Nemanich. J. Appl. Phys., 78, 6709 (1995)
Powder Diffraction File 6-675 (USA, International Center for Diffraction Data, 1991) [Joint Committee on Powder Diffraction Standards, International Center for Diffraction Data, Swarthmore, PA, USA]
H. Windischmann, K.J. Gray, Diamond Relat. Mater., 4, 837 (1995)
V.I. Konov, A.A. Smolin, V.G. Ralchenko, S.M. Pimenov, E.D. Obraztsova, E.N. Loubnin, S.M. Metev, G. Sepold. Diamond Relat. Mater., 4, 1073 (1995)
P. Keblinski, D. Wolf, F. Cleri, S.R. Phillpot, H. Gleiter. MRS Bulletin, 23 (9), 36 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель