Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование комплексов, связанных с атомами селена, в кремнии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 8 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Представлены результаты исследования процессов образования в кремнии комплексов, связанных с атомами селена. На основании анализа кинетики формирования донорных центров определены состав простейших комплексов и основные параметры их образования. Проведен анализ процесса полимеризации Se + Sen-1=<ftrightarrowSen атомов селена в кремнии, позволивший количественно описать особенности диффузии атомов селена из имплантированной области в глубину кристалла. Равновесная растворимость атомов селена в кремнии рассматривается как результат формирования ограниченной концентрации мономеров в процессах образования комплексов.
- E. Janzen, H.G. Grimmeiss. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5791 (1982)
- E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
- E. Janzen, G. Grossmann, R. Stedman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 31, 8000 (1985)
- S.D. Brotherton, M.J. King, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52 (7), 4649 (1981)
- H.G. Grimmeiss, E. Janzen. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 14, 33 (1983)
- V. Kalyanaraman, M.M. Chandra, V. Kumar. J. Appl. Phys., 54, 6417 (1983)
- N. Sclar. J. Appl. Phys., 52, 5207 (1981)
- А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
- А.А. Таскин, Б.А. Зайцев, В.И. Ободников, Е.Г. Тишковский. ФТП, 34, 318 (2000)
- А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1983)
- Н.Н. Калиткин. Численные методы (М., Наука, 1978)
- К.В. Гардинер. Стохастические методы в естественных науках (М., Мир, 1986)
- С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
- Н.Н. Герасименко, Б.А. Зайцев, В.С. Куликаускас, А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. Тез. докл. Всес. конф. "Ионно-лучевая модификация материалов" (Каунас, 1989) с. 56
- D. Nobili, S. Solmi, A. Parisini, M. Derdour, A. Armigliato, L. Moro. Phys. Rev. B, 49, 2477 (1994)
- A. Istratov, C. Flink, H. Hieslmair, E.R. Weber, N. Heiser. Phys. Rev. Lett., 81, 1243 (1998)
- M.B. Huang, I.V. Mitchell. J. Appl. Phys., 85, 174 (1999)
- K. Weisser. J. Phys. Chem. Sol., 7, 118 (1958)
- K. Weisser. J. Phys. Chem. Sol., 17, 149 (1960)
- H.R. Vydyanath, J.S. Lorenzo, F.A. Kroger. J. Appl. Phys., 49, 5928 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
