"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Генерация колебаний сверхвысокой частоты безбазовым диодом
Дарзнек С.А.1, Любутин С.К.1, Рукин С.Н.1, Словиковский Б.Г.1
1Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Впервые экспериментально обнаружены СВЧ колебания напряжения в гигагерцовом диапазоне при прохождении обратного тока длительностью ~300 нс и плотностью несколько кА/см2 через кремниевый p+-1pt-p-n+-диод без базы. Теоретически рассмотрен механизм возникновения таких колебаний. Показано, что частота и глубина модуляции СВЧ колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующей примеси в плоскости p-n-перехода.
  1. М. Шур. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1992) кн. 2, гл. 6
  2. В.А. Козлов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Брылевский. ФТП, 35 (5), 629 (2001)
  3. В.С. Белкин, Г.И. Шульженко. Препринт 91--51, Институт ядерной физики СО АН СССР (Новосибирск, 1991)
  4. Landolt--Boernstein. Numerical Data and Functional Relationships is Science and Technology (Berlin, Springer Verlag, 1982). Vol. 17, Subvolume a. Physics of Group IV Elements and III--V Compounds
  5. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 10

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.