"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кластеризация дефектов и примесей в гидрогенизированном монокристаллическом кремнии
Абдуллин Х.А.1, Горелкинский Ю.В.1, Мукашев Б.Н.1, Токмолдин С.Ж.1
1Физико-технический институт Министерства образования и науки Республики Казахстан, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 4 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Проведен анализ полученных к настоящему времени результатов по исследованию особенностей процессов дефектообразования в гидрогенизированном монокристаллическом кремнии. Показано, что наряду с другими эффектами взаимодействие атомов водорода с радиационными дефектами и примесями приводит к формированию крупных кластеров трех основных типов: вакансионных, межузельных и примесных. Основное условие, приводящее к образованию таких кластеров, это одновременное наличие в образце пересыщенных растворов водорода и дефектов. Взаимодействие водорода с примесями и дефектами инициирует распад пересыщенного раствора дефектов и примеси с образованием преципитатов. Это приводит к формированию кластеров, которые не наблюдаются в отсутствие водорода. Обсуждаются механизмы образования кластеров и их структура.
  1. Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.I. Pancove, N.M. Johnson (San Diego, Academic Press, 1991)
  2. S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Springer Verlag, 1992)
  3. Hydrogen in Semiconductors II, ed. by N.H. Nickel (San Diego, Academic Press, 1999)
  4. S.J. Uftring, Michael Stavola, P.M. Williams, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 51, 9612 (1995)
  5. J. Weber. Proc. 24th Int. Conf. Phys. Semicond., ed. by D. Gershoni (World Scientific, 1999) p. 209
  6. V.P. Markevich, M. Suezawa, K. Sumino. Mater. Sci. Forum, 196--201, 915 (1995)
  7. R.E. Pritchard, M.J. Ashvin, J.H. Tucker, R.C. Newman, E.C. Lightowlers, M.J. Binns, S.A. McQuaid, R. Falster. Phys. Rev. B, 56, 23 118 (1997)
  8. R.E. Pritchard, M.J. Ashvin, J.H. Tucker, R.C. Newman, E.C. Lightowlers, T. Gregorkievicz, I.S. Zevenbergen, C.A.J. Ammerlaan, R. Falster, M.J. Binns. Semicond. Sci. Technol., 12, 1404 (1997)
  9. I.S. Zevenbergen, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 51, 16 746 (1995)
  10. H.J. Stein. J. Electron. Mater., 4, 159 (1975)
  11. Yu.V. Gorelkinskii, Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev. Physica B, 273--274, 171 (1999)
  12. B.N. Mukashev, S.Zh. Tokmoldin, M.F. Tamendarov, V.V. Frolov. Physica B, 170, 545 (1991)
  13. M. Suezawa. Physica B, 273--274, 224 (1999)
  14. Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica B, 170, 155 (1991)
  15. N.M. Johnson, C. Herring, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 73, 130 (1994)
  16. R. Murray. Physica B, 170, 115 (1991)
  17. M.J. Binns, C.A. Londos, S.A. McQuaid, R.C. Newman, N.G. Semaltianos, J.H. Tucher. J. Mater. Sci.: Materials in Electronics, 7, 347 (1996)
  18. R.C. Newman. J. Phys.: Condens. Matter, 12, R335 (2000)
  19. R. Jones, S. Oberg, A. Umerski. Mater. Sci. Forum, 83--87, 551 (1992)
  20. S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 41, 9886 (1990)
  21. Y.H. Lee, Y.M. Kim, J.W. Corbett. Rad. Eff. 15, 77 (1972)
  22. Y.H. Lee, N.N. Gerasimenko, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
  23. Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev., 8, 2810 (1974)
  24. Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev., 13, 2653 (1976)
  25. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  26. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 138, A543 (1965)
  27. K.L. Brower. Rad. Eff., 8, 213 (1971)
  28. A.A. Kaplyanskii. Opt. Spektrosk. (USSR), 16, 329 (1964)
  29. G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12, 5824 (1975)
  30. J.L. Hastings, S.K. Estreicher, P.A. Fedders. Phys. Rev. B, 56, 10 215 (1997)
  31. A.S. Kaminskii, E.V. Lavrov, V.A. Karasyuk, M.L.W. Thewalt. Phys. Rev. B, 50, 7338 (1994)
  32. A.N. Safonov, E.C. Lightowlers. Mater. Sci. Eng. B, 58, 39 (1999)
  33. B. Hourahine, R. Jones, A.N. Safonov, S. Oberg, P.R. Briddon, S.K. Estreicher. Physica B, 273--274, 176 (1999)
  34. B. Hourahine, R. Jones, A.N. Safonov, S. Oberg, P.R. Briddon, S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 61, 12 594 (2000)
  35. N.N. Gerasimenko, M. Rolle, L.J. Cheng, Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. St. Sol. (b), 90, 689 (1978)
  36. B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, S.Zh. Tokmoldin. Mater. Sci. Forum, 38--41, 1039 (1989)
  37. S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii. Physica B, 273--274, 204 (1999)
  38. B.B. Nielsen, L. Hoffmann, M. Budde. Mater. Sci. Eng. B, 36, 259 (1996)
  39. L.C. Kimerling. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 221 (1977)
  40. Y.H. Lee, K.L. Wang, A. Jaworowski, P.M. Mooney, L.J. Cheng, J.W. Corbett. Phys. St. Sol. (a), 57, 697 (1980)
  41. L.C. Kimerling, M.J. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, 38--41, 141 (1989)
  42. П.В. Кучинский, В.М. Ломако, А.П. Петрунин. ФТП, 23, 1625 (1989)
  43. G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum, 143--147, 9 (1994)
  44. A. Endros, W. Kruhler, J. Grabmaier. Mater. Sci. Eng. B, 4, 35 (1989)
  45. N.M. Johnson, F.A. Ponce, R.A. Street, R.J. Nemanich. Phys. Rev. B, 35, 4166 (1987)
  46. S. Muto, S. Takeda, M. Hirata. Mater. Sci. Forum, 143--147, 897 (1994)
  47. J.N. Heyman, J.W. Ager, E.E. Haller, N.M. Johnson, J. Walker, C.M. Donald. Phys. Rev. B, 45, 13 363 (1992)
  48. Ch.G. Van de Walle, P.J.H. Denteneer, Y. Bar-Yam, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 39, 10 791 (1989)
  49. S.B. Zhang, W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 43, 12 142 (1991)
  50. Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed. by R. Jones [NATO Book Series (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 1996)]
  51. S.H. Muller, M. Sprenger, E.G. Sieverts, C.A.J. Ammerlaan. Sol. St. Commun., 25, 987 (1978)
  52. J.M. Trombetta, G.D. Watkins, J. Hage, P. Wagner. J. Appl. Phys., 81, 1109 (1997)
  53. R.C. Newman, J.H. Tucker, N.G. Semaltianos, E.C. Lightowlers, T. Gregorkiewicz, I.S. Zevenbergen, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 54, R6803 (1996)
  54. T. Gregorkiewicz, D.A. van Wezep, H.H.P.Th. Bekman, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 35, 3810 (1987)
  55. J. Michel, J.R. Niklas, J.-M. Spaeth. Phys. Rev. B, 40, 1732 (1989)
  56. Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa. Phys. St. Sol. (a), 15, 93 (1973)
  57. Yu.V. Gorelkinskii, V.O. Sigle, Zh.S. Takibaev. Phys. St. Sol. (a), 22, K55 (1974)
  58. J. Hartung, J. Weber. J. Appl. Phys., 77 (1), 118 (1995)
  59. Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi, Kh.A. Abdullin. J. Appl. Phys., 84, 4847 (1998)
  60. Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Nucl. Instrum. Meth., 209/210, 677 (1983)
  61. Yu.V. Gorelkinskii. Semicond. Semimet. 61, 25 (1999)
  62. J. Hartung, J. Weber. Phys. Rev. B, 48, 14 161 (1993)
  63. S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii, B. Pajot. Mater. Sci. Eng. B, 71, 263 (2000)
  64. R.C. Newman, M.J. Ashwin, R.E. Pritchard, J.H. Tucker. Phys. St. Sol. (b), 210, 519 (1998)
  65. Ch.G. Van de Walle, R.A. Street. Phys. Rev. B, 49, 14 766 (1994)
  66. M. Kohyama, S. Takeda. Phys. Rev. B, 60 (11), 8075 (1999)
  67. B.J. Coomer, J.P. Goss, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon. Physica B, 273--274, 505 (1999)
  68. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, J.L. Lindstrom, M. Suezawa. ФТП, 34, 1039 (2000)
  69. J.R. Troxell, A.P. Chatterjee, G.D. Watkins, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 19, 5336 (1979)
  70. Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, Yu.V. Gorelkinskii. Appl. Phys. Lett., 71, 1703 (1997)
  71. Ю.В. Горелкинский, Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин. ФТП, 32, 421 (1998)
  72. G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 30, 3460 (1984)
  73. G.D. Watkins. In: Radiation Damage in Semiconductors (Paris, 1964) p. 97
  74. J.N. Heyman, J.W. Ager, E.E. Haller, N.M. Johnson, J. Walker, C.M. Doland. Phys. Rev. B, 45, 13 363 (1992)
  75. N.H. Nickel, G.B. Anderson, N.M. Johnson, J. Walker. Phys. Rev. B, 62, 8012 (2000)
  76. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.