Ионы серы имплантировали в полуизолирующий GaAs. Проводили фотонный (805^oC / (10-12) с) и термический (800^oC / 30 мин) отжиги образцов GaAs под пленкой SiO₂, полученной различными способами. Содержание компонентов GaAs в пленке определяли по спектрам резерфордовского обратного рассеяния, концентрационные профили электронов измеряли методом вольт-фарадных характеристик. Показано, что диффузия серы происходит в двух направлениях - к поверхности и в объем GaAs. Первый процесс стимулирован вакансиями, образующимися вблизи поверхности полупроводника при нанесении диэлектрика. Коэффициент "объемной" диффузии и диффузии серы к поверхности при фотонном отжиге на 2 порядка выше, чем при термическом; выше также степень активации примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.