Излучение света полупроводниковой структурой с квантовой ямой и массивом квантовых точек
Евтихиев В.П.1, Константинов О.В.1, Матвеенцев А.В.1, Романов А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Изучен новый тип комбинированной активной области лазера, которая содержит квантовую яму состава In0.2Ga0.8As и массив квантовых точек из InAs в окружении GaAs. Квантовая яма является накопителем инжектированных носителей, а массив квантовых точек - излучающей системой, расположенной в туннельной близости от квантовой ямы. Построена теория, позволяющая находить уровни энергии электронов и дырок в квантовой точке. Рассмотрены вопросы заполнения квантовых точек за счет резонансного туннелирования электронов и дырок из квантовой ямы в квантовую точку; выводы сопоставляются с результатами исследований экспериментального лазера с комбинированной активной областью.
- I.V. Kudryashov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, E.Yu. Kotel'nikov, A.K. Kryganovskii, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1158 (1999)
- Landolt-Bornstein. New Series, III (Berlin, Springer) v. 22a
- J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 14 (2), 556 (1976)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
- Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
- T. Benabbas, Y. Androussi, A. Lefebvre. J. Appl. Phys., 86 (4), 1945 (1999)
- В.Е. Бугров, О.В. Константинов. ФТП, 32 (10), 1235 (1998)
- Дж. Эшелби. Континуальная теория дислокаций (М., Иностр. лит., 1963)
- К. Теодосиу. Упругие модели дефектов в кристаллах (М., Мир, 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
