"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучение света полупроводниковой структурой с квантовой ямой и массивом квантовых точек
Евтихиев В.П.1, Константинов О.В.1, Матвеенцев А.В.1, Романов А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Изучен новый тип комбинированной активной области лазера, которая содержит квантовую яму состава In0.2Ga0.8As и массив квантовых точек из InAs в окружении GaAs. Квантовая яма является накопителем инжектированных носителей, а массив квантовых точек --- излучающей системой, расположенной в туннельной близости от квантовой ямы. Построена теория, позволяющая находить уровни энергии электронов и дырок в квантовой точке. Рассмотрены вопросы заполнения квантовых точек за счет резонансного туннелирования электронов и дырок из квантовой ямы в квантовую точку; выводы сопоставляются с результатами исследований экспериментального лазера с комбинированной активной областью.
  1. I.V. Kudryashov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, E.Yu. Kotel'nikov, A.K. Kryganovskii, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1158 (1999)
  2. Landolt-Bornstein. New Series, III (Berlin, Springer) v. 22a
  3. J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 14 (2), 556 (1976)
  4. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  5. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  6. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  7. T. Benabbas, Y. Androussi, A. Lefebvre. J. Appl. Phys., 86 (4), 1945 (1999)
  8. В.Е. Бугров, О.В. Константинов. ФТП, 32 (10), 1235 (1998)
  9. Дж. Эшелби. Континуальная теория дислокаций (М., Иностр. лит., 1963)
  10. К. Теодосиу. Упругие модели дефектов в кристаллах (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.