"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция GaN: зависимость от интенсивности возбуждения
Бессолов В.Н.1, Евстропов В.В.1, Компан М.Е.1, Меш М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Исследована зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции GaN (0001), выращенного методом газофазной гидридно-хлоридной эпитаксии (HVPE), от интенсивности возбуждения. Особенностью является сильная сверхлинейность при малых уровнях возбуждения, а именно сверхквадратичность. При больших уровнях возбуждения зависимость близка к линейной. Предложена модель, объясняющая обнаруженную сверхквадратичность и основанная на идентичности рекомбинационных процессов в приповерхностном слое объемного заряда при оптическом возбуждении и в слое объемного заряда барьера Шоттки или p-n-перехода при прохождении тока. Сверхквадратичная зависимость получена аналитически в предположении, что безызлучательный канал обусловлен многопрыжковым туннелированием вдоль дислокации, представляющей цепочку центров локализации носителей и пересекающей область объемного заряда. Наблюдалась степенная экспериментальная зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности возбуждения. Оценен такой параметр дислокации, как расстояние между соседними центрами локализации (~ 4.1 нм), т. е. период потенциала вдоль дислокации.
  1. E.A. Stach, M. Kelsh, E.C. Nelson, W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 77, 1819 (2000)
  2. S.O. Kucheyev, M. Toth, M.R. Phillips, J.S. Williams, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 79, 2154 (2001)
  3. Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Piquette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 73, 3276 (1998)
  4. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  5. В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34, 1357 (2000)
  6. A.S. Barker, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 7, 743 (1973)
  7. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of advanced semiconductor materials (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 2001)
  8. S. Koynov, M. Torf, S. Fisher, B.K. Meyer, P. Radojkovic, E. Hartmann, Z. Liliental--Weber. J. Appl. Phys., 82, 1890 (1997)
  9. P.W. Yu, C.S. Park, S.T. Kim. J. Appl. Phys., 89, 1692 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.