"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Одномерный фотонный кристалл, полученный с помощью вертикального анизотропного травления кремния
Толмачев В.А.1, Границына Л.С.1, Власова Е.Н.2, Волчек Б.З.2, Нащекин А.В.1, Ременюк А.Д.1, Астрова Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Исследованы возможности технологии вертикального анизотропного травления кремния ориентации (110) для изготовления одномерного фотонного кристалла с высоким контрастом показателя преломления. Показано, что продвижение в ближний инфракрасный диапазон ограничивается механической прочностью тонких кремниевых стенок. Получены приборные структуры, состоящие из 50 канавок глубиной 114 мкм и толщиной кремниевых стенок 1.8 мкм (период структуры 8 мкм). Проведенные измерения их спектров отражения в области длин волн 2.5-16.5 мкм показали хорошее согласие с результатами расчета, хотя основная фотонная зона, расположенная при lambda~ 28±10 мкм, осталась вне пределов измерений.
  1. J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, R.D. Winn. Photonic Crystals (Princeton University Press, 1995)
  2. M.G. Berger, M. Thonissen, R. Arens-Fisher, H. Munder, H. Luth, M. Arntzen, W. Theiss. Thin Sol. Films, 255, 313 (1995)
  3. L. Pavesi, V. Mulloni. J. Luminesc. 80, 43 (1999)
  4. D.L. Kendall. Ann. Rev. Mater. Sci., 9, 373 (1979)
  5. Е.Г. Гук, А.Г. Ткаченко, Н.А. Токранова, Л.С. Границына, Е.В. Астрова, Б.Г. Подласкин, А.В. Нащекин, И.Л. Шульпина, С.В. Рутковский. Письма ЖТФ, 27 (9), 64 (2001)
  6. Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.