Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs / AlxGa1-xAs
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Проведен численный анализ времени релаксации квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs при рассеянии на акустических фононах в зависимости от ширины квантовой ямы, толщины и высоты потенциального барьера. Вероятность рассеяния электронов нижней минизоны рассчитывалась с приближенной огибающей волновой функцией, не учитывающей дисперсию периодической части функции Блоха по волновому вектору. Проведен сравнительный анализ рассчитанных значений времени релаксации со значением, полученным по известной приближенной формуле.
- A.A. Dremin, V.B. Timofeev, D. Birkedal, J.M. Hvam. Phys. St. Sol. A, 164, 557 (1997)
- T.P. Pearsall, A. DiVergilio, G. Pierre, M. Duncan, P. Hartmut, K. Erich, W. Jager, S. Dirk. Appl. Phys. Lett., 72, 76 (1998)
- Ю.В. Иванов, М.В. Ведерников, Ю.И. Равич. Письма ЖЭТФ, 69, 290 (1999)
- L. Fridman. Phys. Rev. B, 32, 955 (1985)
- B.K. Ridley. J. Phys. C, 15, 5899 (1982)
- Landolt-Bornstein. Numerical Date and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer Verlag, 1987) New Series III, v. 22 a
- С.И. Борисенко, Г.Ф. Караваев. ФТП, 32, 607 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.