"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик--металл
Давыдов А.Б.1, Аронзон Б.А.1, Бакаушин Д.А.2, Веденеев А.С.2
1РНЦ "Курчатовский институт", Институт молекулярной физики, Москва, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

На примере кремниевых транзисторных структур типа металл--нитрид--окисел--полупроводник с инверсионным n-каналом и предельно высокой (<=1013 см-2) концентрацией встроенных зарядов (источников электростатического флуктуационного потенциала) обсуждаются экспериментальные зависимости проводимости мезоскопических квазидвумерных электронных систем от температуры (4.2--300 K) в условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл. В рамках формализма Ландауэра--Буттикера анализируются перевальные области флуктуационного потенциала, которые, представляя собой точечные квантовые контакты между ямами хаотического потенциального рельефа, определяют как характер электронного переноса, так и условия перехода диэлектрик--металл. Показано соответствие результатов анализа температурных и полевых (от потенциала затвора) зависимостей проводимости. Восстановлена форма эффективного потенциального барьера для туннельного транспорта электронов через перевальные области.
  1. Y. Meir. Phys. Rev. Lett., 83, 3506 (199)
  2. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  3. Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б. Давыдов, Е.З. Мейлихов, Н.К. Чумаков. ФТП, 35, 448 (2001)
  4. Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков. Письма в ЖЭТФ, 66, 633 (1997)
  5. Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков. ФТП, 31, 648 (1997)
  6. M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 906 (1990)
  7. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  8. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., 6, 75 (1994)
  9. A. Kamenev, W. Kohn. arXiv: cond-matt/0103488 (2001)
  10. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  11. D.G. Polyakov, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. Lett., 74, 150 (1995)
  12. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.