"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов
Богданова В.А.1, Давлеткильдеев Н.А.1, Семиколенова Н.А.1, Сидоров Е.Н.1
1Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Приведены результаты исследования спектров краевой фотолюминесценции при 300 K серии монокристаллов арсенида галлия, выращенных методом Чохральского, легированного теллуром с концентрацией свободных носителей заряда в диапазоне n0=1017-1019 см-3. На основе анализa контура спектров фотолюминесценции получены концентрационные зависимости химического потенциала и величины сужения запрещенной зоны. Рассчитана зависимость эффективной массы электронов на дне зоны проводимости от их концентрации m0*(n0). Показано, что немонотонная зависимость m0*(n0) согласуется с данными по рассеянию электронов в исследуемом материале и обусловлена упорядочением примесных комплексов.
  1. Н.М. Богатов, А.Л. Петров, Э.Н. Хабаров. ФТП, 16, 353 (1982)
  2. В.А. Богданова, Н.А. Семиколенова. ФТП, 26, 818 (1992)
  3. V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. St. Sol. (b), 181, 87 (1994)
  4. V.A. Bogdanova, N.A. Semikolenova, A.S. Semikolenov. Phys. St. Sol. (a), 120, K121 (1990)
  5. V.A. Bogdanova, V.I. Dubovik, V.V. Prudnikov, N.A. Semikolenova. Ext. Abstracts of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, Japan, 1995) p. 1057
  6. H.C. Casey, Jr. Stern, F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976)
  7. D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
  8. J. De-Sheng, Y. Machita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 53, 999 (1982)
  9. G. Borhgs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989)
  10. T. Lideiskis, G. Treideris. Semicond. Sci. Technol., 4, 938 (1989)
  11. S.I. Kim, M.S. Kim, S.K. Min, C. Lee. J. Appl. Phys., 74, 6128 (1993)
  12. N.-Y. Lee, K.Y. Lee, C. Lee, J.-E. Kim, H.Y. Park, D.-H. Kwak, H.-C. Lee, H. Lim. J. Appl. Phys., 78, 3367 (1995)
  13. G.C. Jiang, Y. Chang, L.-B. Chang, Y.-D. Juang, S. Lu. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 42 (1995)
  14. В.А. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, С.В. Жоховец, М.В. Прокопеня. ФТП, 18, 2193 (1984)
  15. D.M. Szmyd, P. Porro, A. Majerfeld, S. Lagomarsino. J. Appl. Phys., 68, 2367 (1990)
  16. H.B. Bebb, E.W. Williams. Semiconductors and Semimetals (N. Y., Academic Press, 1972) p. 276
  17. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (London, World Scientific, 1996) v. 1, p. 79
  18. S.C. Jain, D.J. Roulston. Sol. St. Electron., 34, 453 (1991)
  19. R.A. Abram, G.N. Childs, P.A. Saunderson. J. Phys. c, 17, 6105 (1984)
  20. B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 33, 8582 (1986)
  21. H.S. Bennett. J. Appl. Phys., 60, 2866 (1986)
  22. P. Van Mieghem. Rev. Mod. Phys., 64, 755 (1992)
  23. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 325
  24. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  25. P.A. Wolff. Phys. Rev., 126, 405 (1962)
  26. A. Glodeanu. Rev. Roum. Phys., 26, 945 (1981)
  27. Е.А. Балагурова, Ю.Б. Греков, А.Ф. Кравченко, И.А. Прудникова, В.В. Прудников, Н.А. Семиколенова. ФТП, 19, 1566 (1985)
  28. Н.А. Семиколенова. ФТП, 22, 137 (1988).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.