"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях
Николаев Д.В.1, Антонова И.В.1, Наумова О.В.1, Попов В.П.1, Смагулова С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под напряжением при напряженности электрического поля 2--5.5 МВ/см. Обнаружено присутствие в окисле подвижного положительного заряда, перемещающегося под действием приложенного напряжения. Ожидаемого накопления заряда в окисле не обнаружено. Оба наблюдаемых эффекта, по нашему предположению, обусловлены взаимодействием остаточного водорода, присутствующего в окисле в процессе изготовления структур, с ловушками в термически выращенном окисле. В результате в скрытом диэлектрике структуры происходит пассивация ловушек и вводится подвижный при комнатной температуре заряд.
  • M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969)
  • M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985)
  • Y. Lu, C.-T. Sah. J. Appl. Phys., 76, 4724 (1994)
  • D.J. DiMaria, E. Cartier, D.A. Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996)
  • K. Kobayashi, A. Teramoto, H. Miyoshi. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 947 (1999)
  • M.V. Fisсhetti. Phys., Rev. B, 31, 2099 (1985)
  • S. Mayo, J.S. Suehle, P. Roitman. J. Appl. Phys., 47, 4113 (1993)
  • C.S. Ngwa, S. Hall. Semicond. Sci. Technol., 9, 1069 (1994)
  • A.N. Nazarov, V.I. Kilchytska, I.P. Barchuk, A.S. Tkachenko, S. Ashok. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1254 (2000)
  • В.П. Попов, И.В. Антонова, В.Ф. Стусь, Л.В. Миронова. Патент N 2164719 от 28.09.1999
  • K. Nagai, T. Sekigawa, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, 789 (1985)
  • F.T. Brady, S.S. Li, D.E. Burk. Appl. Phys. Lett., 52, 886 (1988)
  • А.А. Лебедев, В. Экке. ФТП, 19, 1087 (1985)
  • L.P. Reilly, T. Robertson. Phys. Rev. B, 47, 3780 (1983)
  • I.A. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectronic Engineering, 48, 383 (1999)
  • E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36, 1664 (1965)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.