Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях

Николаев Д.В.¹, Антонова И.В.¹, Наумова О.В.¹, Попов В.П.¹, Смагулова С.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 ноября 2001 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под напряжением при напряженности электрического поля 2-5.5 МВ/см. Обнаружено присутствие в окисле подвижного положительного заряда, перемещающегося под действием приложенного напряжения. Ожидаемого накопления заряда в окисле не обнаружено. Оба наблюдаемых эффекта, по нашему предположению, обусловлены взаимодействием остаточного водорода, присутствующего в окисле в процессе изготовления структур, с ловушками в термически выращенном окисле. В результате в скрытом диэлектрике структуры происходит пассивация ловушек и вводится подвижный при комнатной температуре заряд.

M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969)
M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985)
Y. Lu, C.-T. Sah. J. Appl. Phys., 76, 4724 (1994)
D.J. DiMaria, E. Cartier, D.A. Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996)
K. Kobayashi, A. Teramoto, H. Miyoshi. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 947 (1999)
M.V. Fisсhetti. Phys., Rev. B, 31, 2099 (1985)
S. Mayo, J.S. Suehle, P. Roitman. J. Appl. Phys., 47, 4113 (1993)
C.S. Ngwa, S. Hall. Semicond. Sci. Technol., 9, 1069 (1994)
A.N. Nazarov, V.I. Kilchytska, I.P. Barchuk, A.S. Tkachenko, S. Ashok. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1254 (2000)
В.П. Попов, И.В. Антонова, В.Ф. Стусь, Л.В. Миронова. Патент N 2164719 от 28.09.1999
K. Nagai, T. Sekigawa, Y. Hayashi. Sol. St. Electron., 28, 789 (1985)
F.T. Brady, S.S. Li, D.E. Burk. Appl. Phys. Lett., 52, 886 (1988)
А.А. Лебедев, В. Экке. ФТП, 19, 1087 (1985)
L.P. Reilly, T. Robertson. Phys. Rev. B, 47, 3780 (1983)
I.A. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectronic Engineering, 48, 383 (1999)
E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36, 1664 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель