Вышедшие номера
Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами
Ибрагимов Т.Д.1, Джафарова Э.А.1, Сафаров З.Б.2
1Институт физики Азербайджанской национальной академии наук, Баку, Азербайджан
2Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан
Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe-SiO2 до и после облучения электронами с энергией 4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка становится более однородной. Объяснением одной из причин таких изменений может служить радиационно-стимулированное геттерирование атомов галлия к границе раздела структуры, играющей роль стока.