"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами
Ибрагимов Т.Д.1, Джафарова Э.А.1, Сафаров З.Б.2
1Институт физики Азербайджанской национальной академии наук, Баку, Азербайджан
2Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан
Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe-SiO2 до и после облучения электронами с энергией 4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка становится более однородной. Объяснением одной из причин таких изменений может служить радиационно-стимулированное геттерирование атомов галлия к границе раздела структуры, играющей роль стока.
  1. Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 3, 13 (1983)
  2. З.А. Сафаров, М.Г. Шахтахтинский. ДАН Азербайджана. Сер. физ.-мат. и техн. науки, 47, N 12, 34 (1991)
  3. A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Thin Sol. Films, 151, 317 (1987)
  4. T.D. Ibragimov, G.G. Kurbanova, V.S. Gorelik. Phys. St. Sol. (b), 155, 113 (1989)
  5. А.Г. Абдуллаев, Т.Д. Ибрагимов. ФТТ, 28, 2565 (1986)
  6. J.M. Besson. Nuovo Cimento. Ser. B, 33, 488 (1977)
  7. В.С. Горелик, А.Г. Абдуллаев, Т.Д. Ибрагимов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 55 (1988)
  8. О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко, О.М. Минщук. ФТП, 23, 207 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.