"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами
Ибрагимов Т.Д.1, Джафарова Э.А.1, Сафаров З.Б.2
1Институт физики Азербайджанской национальной академии наук, Баку, Азербайджан
2Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан
Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe--SiO2 до и после облучения электронами с энергией 4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка становится более однородной. Объяснением одной из причин таких изменений может служить радиационно-стимулированное геттерирование атомов галлия к границе раздела структуры, играющей роль стока.
  • Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 3, 13 (1983)
  • З.А. Сафаров, М.Г. Шахтахтинский. ДАН Азербайджана. Сер. физ.-мат. и техн. науки, 47, N 12, 34 (1991)
  • A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Thin Sol. Films, 151, 317 (1987)
  • T.D. Ibragimov, G.G. Kurbanova, V.S. Gorelik. Phys. St. Sol. (b), 155, 113 (1989)
  • А.Г. Абдуллаев, Т.Д. Ибрагимов. ФТТ, 28, 2565 (1986)
  • J.M. Besson. Nuovo Cimento. Ser. B, 33, 488 (1977)
  • В.С. Горелик, А.Г. Абдуллаев, Т.Д. Ибрагимов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 55 (1988)
  • О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко, О.М. Минщук. ФТП, 23, 207 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.