Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe--SiO₂ спектроскопическими методами

Ибрагимов Т.Д.¹, Джафарова Э.А.¹, Сафаров З.Б.²

¹Институт физики Азербайджанской национальной академии наук, Баку, Азербайджан
²Гянджинский государственный университет, Гянджа, Азербайджан Ganja State University, Ganja, Azerbaijan

Ganja State University, Ganja, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe-SiO₂ до и после облучения электронами с энергией 4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·10¹⁵ см^-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка становится более однородной. Объяснением одной из причин таких изменений может служить радиационно-стимулированное геттерирование атомов галлия к границе раздела структуры, играющей роль стока.

Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 3, 13 (1983)
З.А. Сафаров, М.Г. Шахтахтинский. ДАН Азербайджана. Сер. физ.-мат. и техн. науки, 47, N 12, 34 (1991)
A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Thin Sol. Films, 151, 317 (1987)
T.D. Ibragimov, G.G. Kurbanova, V.S. Gorelik. Phys. St. Sol. (b), 155, 113 (1989)
А.Г. Абдуллаев, Т.Д. Ибрагимов. ФТТ, 28, 2565 (1986)
J.M. Besson. Nuovo Cimento. Ser. B, 33, 488 (1977)
В.С. Горелик, А.Г. Абдуллаев, Т.Д. Ибрагимов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 55 (1988)
О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, В.Г. Литовченко, О.М. Минщук. ФТП, 23, 207 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель