"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности магнитодиодного эффекта в многодолинных полупроводниках при низких температурах
Абрамов А.А.1, Горбатый И.Н.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Теоретически проанализирован магнитодиодный эффект в плоской p-i-n-диодной структуре, сопровождаемый междолинным перераспределением электронов около ее холловских поверхностей, на которых происходит рекомбинация неравновесных носителей заряда. Показано, что учет суперпозиции поперечных потоков носителей заряда, обусловленных силой Лоренца, с одной стороны, и междолинным перераспределением, с другой, позволяет объяснить такие наблюдаемые в экспериментах при азотных и гелиевых температурах особенности вольт-амперных характеристик Ge- и Si-p-i-n-структур как: 1) сублинейные вольт-амперные характеристики, имеющие место при низких температурах как в отсутствие, так и при наличии магнитного поля; 2) появление высокой полярной магниточувствительности при больших электрических полях (при комнатных температурах полярная магниточувствительность при переходе от слабых электрических полей к сильным пропадает).
  • Э.И. Рашба, З.С. Грибников, В.Я. Кравченко. УФН, 119, 3 (1976)
  • А.Ф. Кравченко, В.В. Митин, Э.М. Скок. Явления переноса в полупроводниковых пленках (Новосибирск, Наука, 1979)
  • Z.S. Gribnikov, G.I. Lomova, V.A. Romanov. Phys. St. Sol., 28, 815 (1968)
  • А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. ФТП, 18, 2046 (1984)
  • Э.И. Рашба. ЖЭТФ, 48, 1427 (1965)
  • З.С. Грибников. ФТП, 3, 1821 (1969)
  • K. Miyazaki, J. Yamaguchi. Jap. J. Appl. Phys., 7, 1210 (1968)
  • Л.С. Гасанов. ФТП, 15, 2416 (1981)
  • П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  • А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. Изв. вузов. Электроника, N 6, 41 (2000)
  • А.А. Абрамов, А.У. Фаттахдинов. ФТП, 13, 2144 (1979)
  • Т. Ямада. Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников, 2, 711 (1968)
  • H. Pfleiderer. Sol. St. Electron., 15, 335 (1972)
  • А.А. Акопян, З.С. Грибников. ФТП, 14, 740 (1980)
  • А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый. Тез. докл. XII совещ. по теории полупроводников (Ташкент, 1985) Киев, ч. 1, 9 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.