"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях
Беляев А.П.1, Рубец В.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения проводимости в гетеропереходах на основе двухфазных пленок сульфида кадмия и определены режимы формирования аморфных и аморфных с кристаллическими включениями пленок CdS. Показано соответствие результатов солитонной модели.
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39 (2), 382 (1997)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорг. матер., 34 (3), 281 (1998)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец. ФТП, 35 (3), 294 (2001)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТП, 31 (8), 966 (1997)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ЖТФ, 71 (4), 133 (2001)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Теория упругости (М., Наука, 1987)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.