"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях
Беляев А.П.1, Рубец В.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения проводимости в гетеропереходах на основе двухфазных пленок сульфида кадмия и определены режимы формирования аморфных и аморфных с кристаллическими включениями пленок CdS. Показано соответствие результатов солитонной модели.
  1. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39 (2), 382 (1997)
  2. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорг. матер., 34 (3), 281 (1998)
  3. А.П. Беляев, В.П. Рубец. ФТП, 35 (3), 294 (2001)
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
  5. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТП, 31 (8), 966 (1997)
  6. А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ЖТФ, 71 (4), 133 (2001)
  7. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Теория упругости (М., Наука, 1987)
  8. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.