E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур с высокой плотностью состояний в области границы раздела
Кузьменко Р.В.1, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет (кафедра физики твердого тела, физический факультет), Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs (концентрация электронов n~ 1017 см-3) в парах Se, установлен эффект отсутствия фотонапряжения в области границы раздела. Фотогенерация неравновесных носителей заряда в подложке приводит не к изменению положения уровня Ферми в области границы раздела, а только к модуляции глубины области пространственного заряда в GaAs. Данные количественного анализа экспериментальных спектров также показывают, что образование толстого (~ 1 мкм) слоя Ga2Se3 не приводит к ожидаемому эффекту изменения положения уровня Ферми по сравнению с естественно окисленной поверхностью.
- R. Beaudry, S.P. Watkins, X. Xu, P. Yeo. J. Appl. Phys., 87 (11), 7838 (2000)
- U. Behn, A. Thamm, O. Brandt, H.T. Grahn. J. Appl. Phys., 87 (9), 4315 (2000)
- W.-H. Chang, T.M. Hsu, W.C. Lee, R.S. Chuang. J. Appl. Phys., 83 (12), 7873 (1998)
- M.E. Constantino, H. Navarro-Contreras, B. Salazar-Hernandez, M.A. Vidal, A. Lastras-Martinez, M. Lopez-Lopez, I. Hernandez-Colderon. J. Appl. Phys., 86 (1), 425 (1999)
- H. Shen, W. Zhou, J. Pamulapati, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 74 (10), 1430 (1999)
- D.F. Sousa, M.J.V. Bell, L.A.O. Nunes. J. Appl. Phys., 83 (5), 2806 (1998)
- D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
- D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7 (10), 4605 (1973)
- H. Shen, M. Dutta, R. Lux, W. Buchwald, L. Fotiadis, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett., 59 (3), 321 (1991)
- V.L. Alperovich, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. Surf. Sci., 331-- 333, 1250 (1995)
- G. Apostolopoulos, J. Herfort, W. Ulrici, L. Daeweritz, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 60 (8), R5145 (1999)
- W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Khan. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1886 (1992)
- Y.H. Chen, Z. Yang, R.G. Li, Y.Q. Wang, Z.G. Wang. Phys. Rev. B, 55 (12), R7379 (1997)
- O.J. Glembocki, J.A. Tuchman, K.K. Ko, S.W. Pang, A. Giordana, R. Kaplan, C.E. Stutz. Appl. Phys. Lett., 66 (22), 3054 (1995)
- T.M. Hsu, W.C. Lee, J.R. Wu, J.I. Chyi. Phys. Rev. B, 51 (23), 17 215 (1995)
- Б.И. Сысоев, В.В. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов. ЖТФ, 56 (5), 913 (1986)
- C.J. Sandroff, M.S. Hedge, L.A. Farrow, R. Bhat, J.P. Harbison, C.C. Chang. J. Appl. Phys., 67, 586 (1989)
- F.S. Turco, C.J. Sandroff, M.S. Hedge, M.C. Tarmago. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 856 (1990)
- S. Hildebrandt, J. Schreiber, W. Kircher, R. Kusmenko. Europ. Mater. Res. Soc. 1992 Spring Meeting/Int. Conf. Electron. Mater. (ICEM), Symp. D: "Diagnostic techniques for semiconductor materials analysis and fabrication process control" (Strasbourg, 1992)
- S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber. Phys. St. Sol. (a), 152, 147 (1995)
- А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 32 (3), 272 (1998)
- Р. Кузьменко, А. Ганжа, Э.П. Домашевская, В. Кирхер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 34 (9), 1086 (2000)
- J.M.A. Gilman, A. Hamnett, R.A. Batchelor. Phys. Rev. B, 46, 13 363 (1992)
- O.J. Glembocki, N. Bottka, J.E. Furneaux. J. Appl. Phys., 57 (2), 432 (1985)
- E.G. Seebauer. J. Appl. Phys., 66, 4963 (1989)
- Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ, 39, 2123 (1997)
- A. Badakhshan, J.L. England, P. Thompson, P. Cheung, C.H. Yang, K. Alavi. J. Appl. Phys., 81 (2), 910 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
