"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур с высокой плотностью состояний в области границы раздела
Кузьменко Р.В.1, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет (кафедра физики твердого тела, физический факультет), Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs (концентрация электронов n~ 1017 см-3) в парах Se, установлен эффект отсутствия фотонапряжения в области границы раздела. Фотогенерация неравновесных носителей заряда в подложке приводит не к изменению положения уровня Ферми в области границы раздела, а только к модуляции глубины области пространственного заряда в GaAs. Данные количественного анализа экспериментальных спектров также показывают, что образование толстого (~ 1 мкм) слоя Ga2Se3 не приводит к ожидаемому эффекту изменения положения уровня Ферми по сравнению с естественно окисленной поверхностью.
  1. R. Beaudry, S.P. Watkins, X. Xu, P. Yeo. J. Appl. Phys., 87 (11), 7838 (2000)
  2. U. Behn, A. Thamm, O. Brandt, H.T. Grahn. J. Appl. Phys., 87 (9), 4315 (2000)
  3. W.-H. Chang, T.M. Hsu, W.C. Lee, R.S. Chuang. J. Appl. Phys., 83 (12), 7873 (1998)
  4. M.E. Constantino, H. Navarro-Contreras, B. Salazar-Hernandez, M.A. Vidal, A. Lastras-Martinez, M. Lopez-Lopez, I. Hernandez-Colderon. J. Appl. Phys., 86 (1), 425 (1999)
  5. H. Shen, W. Zhou, J. Pamulapati, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 74 (10), 1430 (1999)
  6. D.F. Sousa, M.J.V. Bell, L.A.O. Nunes. J. Appl. Phys., 83 (5), 2806 (1998)
  7. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
  8. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7 (10), 4605 (1973)
  9. H. Shen, M. Dutta, R. Lux, W. Buchwald, L. Fotiadis, R.N. Sacks. Appl. Phys. Lett., 59 (3), 321 (1991)
  10. V.L. Alperovich, A.G. Paulish, A.S. Terekhov. Surf. Sci., 331-- 333, 1250 (1995)
  11. G. Apostolopoulos, J. Herfort, W. Ulrici, L. Daeweritz, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 60 (8), R5145 (1999)
  12. W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Khan. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1886 (1992)
  13. Y.H. Chen, Z. Yang, R.G. Li, Y.Q. Wang, Z.G. Wang. Phys. Rev. B, 55 (12), R7379 (1997)
  14. O.J. Glembocki, J.A. Tuchman, K.K. Ko, S.W. Pang, A. Giordana, R. Kaplan, C.E. Stutz. Appl. Phys. Lett., 66 (22), 3054 (1995)
  15. T.M. Hsu, W.C. Lee, J.R. Wu, J.I. Chyi. Phys. Rev. B, 51 (23), 17 215 (1995)
  16. Б.И. Сысоев, В.В. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргунов. ЖТФ, 56 (5), 913 (1986)
  17. C.J. Sandroff, M.S. Hedge, L.A. Farrow, R. Bhat, J.P. Harbison, C.C. Chang. J. Appl. Phys., 67, 586 (1989)
  18. F.S. Turco, C.J. Sandroff, M.S. Hedge, M.C. Tarmago. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 856 (1990)
  19. S. Hildebrandt, J. Schreiber, W. Kircher, R. Kusmenko. Europ. Mater. Res. Soc. 1992 Spring Meeting/Int. Conf. Electron. Mater. (ICEM), Symp. D: "Diagnostic techniques for semiconductor materials analysis and fabrication process control" (Strasbourg, 1992)
  20. S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber. Phys. St. Sol. (a), 152, 147 (1995)
  21. А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 32 (3), 272 (1998)
  22. Р. Кузьменко, А. Ганжа, Э.П. Домашевская, В. Кирхер, Ш. Хильдебрандт. ФТП, 34 (9), 1086 (2000)
  23. J.M.A. Gilman, A. Hamnett, R.A. Batchelor. Phys. Rev. B, 46, 13 363 (1992)
  24. O.J. Glembocki, N. Bottka, J.E. Furneaux. J. Appl. Phys., 57 (2), 432 (1985)
  25. E.G. Seebauer. J. Appl. Phys., 66, 4963 (1989)
  26. Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ, 39, 2123 (1997)
  27. A. Badakhshan, J.L. England, P. Thompson, P. Cheung, C.H. Yang, K. Alavi. J. Appl. Phys., 81 (2), 910 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.