"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термостимулированные токи в монокристаллах MnIn2S4
Нифтиев Н.Н.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 11 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Исследованиями термостимулированных токов в монокристаллах MnIn2S4 выявлено наличие быстрых уровней прилипания. Определены глубины залегания уровней, концентрация и сечения захвата ловушек. На основе методов термостимулированных токов и термической реакции расчистки выявлено, что в запрещенной зоне монокристаллов MnIn2S4 имеются экспоненциально распределенные уровни прилипания (0.05/ 0.21 эВ) и на фоне этих уровней дискретные ловушечные уровни с энергией 0.14 эВ.
  1. Э. Метфессель, Д. Миттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
  2. T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
  3. Р.Н. Бекембетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  4. С. Марцинкявичюс, Г. Амбразявичюс, Р.Н. Бекембетов, Г.А. Медведкин. ФТП, 22, 1919 (1988)
  5. P.G. Litovchenko, V.I. Ustianov. Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов (Wilnius, Mokslas, 1960) p. 153
  6. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Мир, 1962)
  7. G.F. Garlik, A.F. Gibson. Proc. Phys. Soc., AGO 574 (1948)
  8. Ч.Б. Лущик. ДАН СССР, сер. физ., 101, N 4 (1953)
  9. Ya.A. Piasta. Mikroelectronika, 3, 178 (1974)
  10. Г.А. Бордовски. В сб.: Фотопроводящие окислы свинца (1976) с. 87

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.