"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термостимулированные токи в монокристаллах MnIn2S4
Нифтиев Н.Н.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 11 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Исследованиями термостимулированных токов в монокристаллах MnIn2S4 выявлено наличие быстрых уровней прилипания. Определены глубины залегания уровней, концентрация и сечения захвата ловушек. На основе методов термостимулированных токов и термической реакции расчистки выявлено, что в запрещенной зоне монокристаллов MnIn2S4 имеются экспоненциально распределенные уровни прилипания (0.05/ 0.21 эВ) и на фоне этих уровней дискретные ловушечные уровни с энергией 0.14 эВ.
  • Э. Метфессель, Д. Миттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
  • T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
  • Р.Н. Бекембетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  • С. Марцинкявичюс, Г. Амбразявичюс, Р.Н. Бекембетов, Г.А. Медведкин. ФТП, 22, 1919 (1988)
  • P.G. Litovchenko, V.I. Ustianov. Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов (Wilnius, Mokslas, 1960) p. 153
  • Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Мир, 1962)
  • G.F. Garlik, A.F. Gibson. Proc. Phys. Soc., AGO 574 (1948)
  • Ч.Б. Лущик. ДАН СССР, сер. физ., 101, N 4 (1953)
  • Ya.A. Piasta. Mikroelectronika, 3, 178 (1974)
  • Г.А. Бордовски. В сб.: Фотопроводящие окислы свинца (1976) с. 87
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.