"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
СВЧ магнитосопротивление компенсированного p-Ge : Ga в области фазового перехода изолятор--металл
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Тиснек Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

С помощью техники ЭПР исследовано магнитосопротивление умеренно компенсированного нейтронно-легированного Ge : Ga на сверхвысоких частотах в области фазового перехода изолятор--металл. По мере увеличения концентрации дырок в изоляторном состоянии вблизи фазового перехода наблюдается смена механизмов магнитосопротивления с характерного для прыжковой проводимости сжатия волновой функции примесных центров магнитным полем на механизм, типичный для режима слабой локализации. В последнем случае вблизи перехода (1.2· 1017 см-3) важную роль играет зависимость коэффициента диффузии от температуры, которая ослабляется на "металлической" стороне перехода. В металлическом состоянии коэффициент диффузии перестает зависеть от температуры и температурная зависимость магнитосопротивления описывается механизмом сбоя фазы в результате рассеяния на фононах. При более высоких уровнях легирования необходимо учитывать вклад электрон-электронного взаимодействия во время сбоя фазы.
  1. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron interactions in disordered systems, ed. by A.L. Efros, M. Polak (North-Holland, 1985) p. 1
  2. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23, 3 (1989)
  3. K.J. Sugiyama. J. Phys. Soc. Japan., 19, 1745 (1964)
  4. W.W. Lee, R.J. Sladek. Phys. Rev., 158, 794 (1967)
  5. А.Р. Гаджиев, И.С. Шлимак. ФТП, 6, 1582 (1972)
  6. J. Chroboczek, A. Klokocki, K. Kopalko. J. Phys. C, 7, 3042 (1974)
  7. А.Н. Ионов. Письма ЖЭТФ, 29, 76 (1976)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  9. B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping transport in solids, ed. by M. Pollak, B. Shklovskii (Elsevier, 1991) p. 271
  10. M.E. Raikh, J. Czingon, Ye. Qiu, F. Koch, W. Schoepe, K. Ploog. Phys. Rev. B, 45, 6015 (1992)
  11. А.Г. Забродский. ФТП, 14, 1324 (1980)
  12. А.Г. Забродский. УФН, 168, 804 (1998)
  13. А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП, 28, 168 (1994)
  14. A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. St. Sol. (b), 205, 61 (1998)
  15. М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, Л.М. Штеренгас. ФТП, 32, 811 (1998)
  16. А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП, 26, 431 (1992)
  17. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Ж. Бискупски. ФТП, 32, 557 (1998)
  18. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП, 34, 774 (2000)
  19. C.P. Poole. Electron Spin Resonance. Comprehensive treatise on experimental techniques. (N. Y., London, Sydney J. Wiley \& Sons, 1967). [Рус. пер.: Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии (М., Мир, 1970)]
  20. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 768 (1981)
  21. А.Г. Аронов, М.Е. Гершензон, Ю.Е. Журавлев. ЖЭТФ, 87, 971 (1984).
  22. Т.Ю. Бильгильдеева, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.И. Сайдашев. Препринт N 999, ФТИ им. А.Ф. Иоффе (Л., 1986)
  23. И.С. Шлимак, А.И. Ионов, Б.И. Шкловский. ФТП, 17, 503 (1983).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.