"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
Хакимов З.М., Пулатова Д.С., Адилов М.К., Махмудов А.Ш., Левин А.А., Юнусов М.С.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Описан самосогласованный вариант метода функций Грина, основанный на сочетании метода Слейтера-Костера и полуэмпирического метода эквивалентных орбиталей. Метод применен к исследованию электронной структуры вакансии, а также примесей In, S, Se, S+, Se+, S2 и Se2 в кремнии и германии. Рассмотрены заряды на атомах (с учетом перераспределения заряда в четырех координационных сферах вокруг дефекта) и их влияние на уровни в запрещенной зоне. Во всех случаях имеется тенденция к переносу отрицательного заряда в область, включающую сам дефект и ближайшие к нему атомы. Для одиночных примесей атом примеси заряжен положительно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.