"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нелинейность краевого поглощения CdSe
Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Малыш Н.И., Булах Б.М.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Исследовано влияние интенсивности лазерного излучения на коэффициент поглощения селенистого кадмия в области края. Показано, что в низкочастотном участке спектра, определяющемся крупномасштабными нарушениями решетки, он постоянен. На урбаховском участке, формирующемся точечными дефектами, поглощение резко падает с ростом интенсивности. В области зона-зонных переходов зависимость коэффициента поглощения от интенсивности объясняется проявлением динамического эффекта Бурштейна-Мосса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.