"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
Васильев В.А., Волков А.С., Мусабеков Е., Теруков Е.И., Челноков В.Е., Чернышев С.В., Шерняков Ю.М.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Исследованы основные характеристики стационарной фотолюминесценции (ФЛ), ее температурная зависимость, а также кинетика затухания ФЛ пленок a-Si1-xCx : H различного состава, полученных разложением смеси газов SiH4-CH4-Ar в ВЧ тлеющем разряде. Показано, что ФЛ состоит из одной почти симметричной полосы, положение максимума которой и полуширина растут с ростом x от значений 1.4 и 0.30 эВ при x=0 до значений 2.3-2.9 и 0.8 эВ при x~ 1. При этом резко ослабляется температурное гашение интенсивности ФЛ, а кинетика ее затухания на несколько порядков убыстряется, демонстрируя переход от туннельной к экситоноподобной излучательной рекомбинации. При возбуждении хвост-хвост" обнаружено крыло антистоксовского излучения, относительная интенсивность которого увеличивается по мере роста температуры и уменьшения энергии возбуждающих квантов. Обсуждаются возможные причины сильной пространственной корреляции неравновесных электронов и дырок в пленках, обогащенных углеродом. На основании данных по антистоксовскому излучению делается вывод о том, что причиной такой корреляции является локализация носителей заряда на микронеоднородностях аморфной структурной сетки. Делается предположение о том, что эти неоднородности представляют собой нанокластеры графитовой фазы. Анализ концентрационных зависимостей параметров ФЛ приводит также к заключению о том, что пленки a-Si1-xCx : H, выращенные указанным выше методом, остаются однородными лишь при малом содержании углерода (x < 0.3/ 0.4).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.