"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
Копьев П.С., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Надточий М.Ю., Устинов В.М.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Методом МПЭ получены на подложках GaAs гетероструктуры GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами и исследованы их магнитотранспортные свойства. Введение в конструкцию структуры дополнительной узкой квантовой ямы позволило значительно увеличить подвижность носителей при низких температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.