"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электропроводность n+-n-n+-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле
Денис В., Мартунас З., Шяткус А.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

На микронных и субмикронных n+-n-n+-структурах GaAs (длина n-области L =0.25/ 8 мкм, а концентрация электронов в ней 2· 1017 см-3) в слабо греющих электрических полях (=<100 В/см) при температурах решетки 295/ 78 K измерены зависимости коэффициента нелинейности вольтамперной характеристики beta от длины L. Обнаружено, что уменьшение L до величин, соизмеримых с характерной длиной остывания электронов, приводит к значительному падению абсолютного значения beta. Показано, что основной причиной эффекта является теплопроводность электронного газа, обусловливающая вынос энергии теплых электронов через контакт и понижение степени среднего по объему разогрева носителей заряда в n-области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.