Построена количественная теория междупарной излучательной рекомбинации носителей в аморфном полупроводнике при низких температурах. Наряду с процессами электронно-дырочной рекомбинации учитываются процессы прыжковой энергетической релаксации электронов и дырок по локализованным состояниям хвостов зон. Выведена система нелинейных интегральных уравнений, позволяющая рассчитать функцию распределения неравновесных носителей по локализованным состояниям в условиях, стационарной генерации. Эта система уравнений решена численно на ЭВМ, и получены спектры фотолюминесценции, обусловленной туннельной излучательной рекомбинацией электронов и дырок, докализованных в хвостах зон. Рассчитана фотопроводимость, связанная с прыжковым движением электронов в процессе энергетической релаксации. Результаты расчета неплохо согласуются с экспериментальными данными для гидрированного аморфного кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.