"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
Алешкин В.Я., Романов Ю.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Исследованы условия возникновения инверсных распределений электронов между подзонами квантовой ямы в двухбарьерной структуре с учетом реальных механизмов рассеяния. Инверсия в таких системах возникает, если вероятность ухода электронов из нижней подзоны в контакт (коллектор) превышает вероятность их прихода из верхней подзоны. Найдены условия, при которых инверсия населенностей приводит к генерации электромагнитных колебаний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.