"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
Вейс А.Н., Дашевский З.М., Руленко М.П.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и коэффициент термоэдс в PbTe, имплантированном цинком с дозами (30/ 2)· 104 мкКл/см2 при T=300 K. Показано, что имплантация PbTe примесью цинка сопровождается образованием твердых растворов Pb1-xZnxTe. Выявлены энергетические уровни, связанные с комплексами, расположенные в верхней половине запрещенной зоны. Выполнен анализ полученных данных совместно с результатами, описанными в литературе, и показано, что в материалах с электронным типом проводимости комплексы включают в свой состав вакансии как свинца, так и халькогена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.