"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
Баранский П.И., Беляев А.Е., Городничий О.П., Комиренко С.М.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Представлены результаты исследований температурных и магнитополевых зависимостей гальваномагнитных и фотоэлектрических параметров пластически деформированных посредством индентирования кристаллов n-CdxHg1-xTe (x=0.2). Показано, что пластическая деформация приводит к образованию подвижных при T~ 300 K дислокаций, проявляющих геттерирующее действие по отношению к имеющимся в образце неконтролируемым примесям. Установлено также, что наблюдаемый в деформированных кристаллах рекомбинационный уровень c Et ~ Ev+50 мэВ имеет дислокационную природу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.