Представлены результаты исследований температурных и магнитополевых зависимостей гальваномагнитных и фотоэлектрических параметров пластически деформированных посредством индентирования кристаллов n-Cd_xHg_1-xTe (x=0.2). Показано, что пластическая деформация приводит к образованию подвижных при T~ 300 K дислокаций, проявляющих геттерирующее действие по отношению к имеющимся в образце неконтролируемым примесям. Установлено также, что наблюдаемый в деформированных кристаллах рекомбинационный уровень c E_t ~ E_v+50 мэВ имеет дислокационную природу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.