"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
Рыжий В.И., Семыкина Е.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Теория полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой на основе гетеропары GaAs/GaAlAs модифицирована для учета рассеяния электронов в потенциальной яме, образующейся в нелегированном буферном слое вблизи барьерной структуры. На основе этой теории исследована работа упомянутого устройства и получены вольтамперные характеристики и функции распределения электронов по энергии при комнатной и азотной температурах для различных концентраций ионизованных доноров в легированной контактной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.